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ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法（ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應磁控濺射法），在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到的高技術產品。ITO膜層的厚度不同，膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應的越小。
　　以下是兩種不同的PET-ITO導電膜的參數(shù)：
　　高阻抗ITO導電膜（PET-ITO）
　　　高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用于移動通訊領域的觸摸屏生產。
　　產品參數(shù)：
　　面電阻：300～500 Ω/□
　　面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%
　　薄膜厚度：0.125～0.188±10%
　　線性度（MD）：≤1.5%
　　全光線透過率：≥86%
　　表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H
　　熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%
　　熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%
　　加熱卷曲：≤10mm
　　低阻抗ITO導電膜（PET-ITO）
　　低阻抗ITO導電膜可用于對導電性能要求比較高的領域，如：用于薄膜太陽能電池的透明電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。
　　產品參數(shù)：
　　薄膜厚度：0.025~0.188±10 mm
　　霧度：<2%
　　寬度：1300mm
　　粘附：100/100
　　卷曲：≤10 mm
　　透過率：≥ 80%
　　表面電阻：02~300±10 Ω/□
　　面電阻均勻性：<7%
　　熱收縮：MD≤0.3，TD≤0.1
　　熱穩(wěn)定性：
　　高溫：80oC,120hr ≤1.3
　　低溫：-40oC,120hr ≤1.3
　　熱循環(huán)：-30oC—80oC ≤1.3
　　熱/濕度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3