技術(shù)要求

典型數(shù)值在27°C

氧化層厚度4000A     

輻射Vth靈敏度

輻射場(chǎng)= 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.25mV/rad
輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度 = 0.18mV/rad
(靈敏度在 1.5 krad(H₂O)，在以下讀寫器的配置中使用一個(gè)恒量10µA)

溫度補(bǔ)償

TVTC 6.4mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.)

線性模式中Z.T.C. 數(shù)值 ~ 1.85µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

飽和模式中Z.T.C.數(shù)值 ~ 20µA
(使用以下讀寫器電路配置)

預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)

閾值電壓（外推） -6.9 +/- 0.3V

Vth漂移時(shí)間（秒） 1.5mV/十年

(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA，兩個(gè)中有一個(gè)因子會(huì)增大)

氧化層擊穿電壓>75V

溝道漏電流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 2 pA

亞閾值斜率240 +/- 20 mV/十年

溝道電阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.84 Mohms

福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、同軸高純鍺探測(cè)器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測(cè)器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測(cè)器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀（現(xiàn)場(chǎng)使用）、X γ射線高純鍺譜儀（電致冷）、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測(cè)器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。