公 司 沿 革    
1984年 創(chuàng)立"拉奇企業(yè)有限公司"（La Chi Enterprise Co., Ltd.）。                                       
1991年 因應國際外銷業(yè)務需求，設(shè)立"西肯興業(yè)有限公司（Core Connector Co., Ltd.）。      
1993年 自美國引進Parylene真空鍍膜設(shè)備進入臺灣市場。  1999年 第一次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備。
2000年 第二次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備，並引進直立式機型。2001年 第三次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備，並設(shè)立東莞工廠。
2002年 第四次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備，並設(shè)立吳江工廠。
2004年 第五次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備，增加3部直立式機型。同年，更本著回饋社會之企業(yè)文化與使命感，免費提供"國立中興大學"直立式機型1部，做為學術(shù)研究用途。      
2005年 第六次擴充Parylene真空鍍膜設(shè)備，增加2部直立式機型。同年，與"工業(yè)研究院材料所"共同合作開發(fā)未來高科技之"可撓曲式有機發(fā)光二極體/FOLED"之保護膜製程技術(shù)。截至目前為止，生產(chǎn)量與設(shè)備數(shù)規(guī)模為東南亞第一。   
真 空 鍍 膜 簡 介
1.真空鍍膜簡介
 1.1.Parylene真空鍍膜技術(shù)（CVD.Chemical Vapor Deposition），早期起始於美國航太工業(yè)、通訊衛(wèi)星及國防軍事用途，而後逐漸轉(zhuǎn)移推廣至民間商業(yè)用途，至今約已40年。
 1.2.及至今日，各種產(chǎn)品或零件已趨向精密微小化，因此，一般的表面被覆處理方式，如：Epoxy、Urethane、Silicone、ED等，已 無法符合此一嚴格要求。
2.真空鍍膜原理           
  Parylene真空鍍膜技術(shù)，是將原料置於真空中（10¯3 Torr），直接汽化並裂解成奈米（Nano）分子流，再進入室溫下的鍍膜   室中，以氣相沈澱的方式，均勻滲入被鍍物體之內(nèi)部隙縫與表面針孔，並逐漸聚合成完整、輕薄、均勻而又高密度之微米（Micro）膜層。因此，其良好的被覆特性與功能，完全不同且優(yōu)異於一般沈浸式或噴霧式的表面處理方式。
3.真空鍍膜流程
  粉末狀之鍍膜材料（Dimer）在經(jīng)過汽化（150℃）與裂解（650℃）過程後，進入鍍膜室中，在常溫下進行氣相沉澱，形成Polymer膜。

真 空 鍍 膜 之 功 能 說 明

 

1.溫度範圍廣：適用於-200℃至+200℃之環(huán)境溫度。

2.無應力表面：電路敏感度不受影響。

3.超薄膜層：表面散熱影響程度最低。

4.低摩擦係數(shù)：形成表面乾膜式潤滑效果。

5.有機相容性：不形成生物排斥現(xiàn)像。

6.透明：膜層可達光學品質(zhì)。

7.包覆性極佳：可提高電子零件及機械裝置之定位。

8.抗溶劑侵蝕性：不溶解於溶劑，可耐受酸、鹼液體腐蝕。

9.高阻滯性：氧氣、水氣滲透性極低，同時防止游離。

10.絕緣性：可耐受3000v/AC高電壓。