真 空 鍍 膜 簡 介
1.真空鍍膜簡介
1.1.Parylene真空鍍膜技術（CVD.Chemical Vapor Deposition），早期起始於美國航太工業(yè)、通訊衛(wèi)星及國防軍事用途，而後逐漸轉移推廣至民間商業(yè)用途，至今約已40年。

 1.2.及至今日，各種產品或零件已趨向精密微小化，因此，一般的表面被覆處理方式，如：Epoxy、Urethane、Silicone、ED等，已無法符合此一嚴格要求。

2.真空鍍膜原理           

 Parylene真空鍍膜技術，是將原料置於真空中（10¯³ Torr），直接汽化並裂解成奈米（Nano）分子流，再進入室溫下的鍍膜

   室中，以氣相沈澱的方式，均勻滲入被鍍物體之內部隙縫與表面針孔，並逐漸聚合成完整、輕薄、均勻而又高密度之微米（Micro）膜層。因此，其良好的被覆特性與功能，完全不同且優(yōu)異於一般沈浸式或噴霧式的表面處理方式。

3.真空鍍膜流程

 粉末狀之鍍膜材料（Dimer）在經過汽化（150℃）與裂解（650℃）過程後，進入鍍膜室中，在常溫下進行氣相沉澱，形成Polymer膜。真 空 鍍 膜 之 功 能 說 明
1.溫度範圍廣：適用於-200℃至+200℃之環(huán)境溫度。
2.無應力表面：電路敏感度不受影響。
3.超薄膜層：表面散熱影響程度最低。
4.低摩擦係數：形成表面乾膜式潤滑效果。
5.有機相容性：不形成生物排斥現像。
6.透明：膜層可達光學品質。
7.包覆性極佳：可提高電子零件及機械裝置之定位。
8.抗溶劑侵蝕性：不溶解於溶劑，可耐受酸、鹼液體腐蝕。
9.高阻滯性：氧氣、水氣滲透性極低，同時防止游離。
10.絕緣性：可耐受3000v/AC高電壓。