現(xiàn)貨供應 6寸125×125單晶硅片
1. 1 硅片直徑: 165±0.4mm
1. 2 硅片寬度: 125±0.4mm
1. 3 硅片厚度: 200±20μm
1. 4 總厚度變化(TTV): 0.03mm
1. 5 垂直度: 片內矩形對角線相等,公差±0.5mm
1. 6 彎曲度: ≤0.035mm
2. 技術參數
2.1 電阻率: 0.5-3Ω.cm
2.2 導電類型: P型
2.3 少子壽命: ≥10μs
2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3
2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3
2.6 晶向: (100)±1.5°
2.7 位錯密度: 3×103個/cm3
電話;15852146185 公司網站 http://www.xzbjny.com
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品 名 |
技術要求 |
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太陽能級單晶硅片 |
1、規(guī)格型號：P型,摻雜劑:硼(B) |
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2、尺寸：125*125±0.5mm |
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3、對角長度：165mm±0.5mm |
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4、厚度：200±20μｍ |
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5、中心厚度：≥185μｍ |
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6、電阻率：1~3Ωcm |
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7、少子壽命：≥10μｓ |
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8、損傷層：<15μｍ |
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9、位錯密度：≤3×103個atoms/cm3 |
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10、徑向電阻率變化:＜15% |
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11、切割方式：多線切割90° |
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12、總厚度變化(TTV)：≤30μｍ |
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13、垂直度：90±0.3° |
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14、垂直度變化: ≤0.5mm |
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15、晶向：<100>±2° |
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16、碳含量：≤5*1016atoms/cm3 |
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17、氧含量：≤1*1018atoms/cm3 |
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18、翹曲度：≤40μｍ |
