現(xiàn)貨供應(yīng)8寸156×156多晶硅片
商務(wù)電話(huà);15852146185
156*156多晶硅片規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)：
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生長(zhǎng)方法 |
Growth Method |
DSS |
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導(dǎo)電型號(hào) |
Conductive Type |
P |
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摻雜劑 |
Dopant |
B |
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電阻率 |
Resistivity（ρ） |
1.0 -3.0Ω·cm |
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少子壽命 |
Minority Carrier Lifetime |
≥2μs(brick 硅塊) |
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氧含量 |
Oxygen Content(oi) |
≤1.0*1018 at/cm3 |
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碳含量 |
Carbon Content(c) |
≤1.0*1017 at/cm3 |
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硅片尺寸 |
Size |
156*156±0.5mm |
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倒角線(xiàn)角度 |
Bebel Edge Angle |
45°± 10° |
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倒角線(xiàn)寬度 |
Bebel Edge Width |
0.5-2mm |
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硅片厚度 |
Thickness |
200±20 μm |
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總厚度變化 |
TTV |
≤30μm |
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線(xiàn)痕 |
Saw Mark |
≤15μm |
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彎曲度/翹曲度 |
Bow/Warp |
≤75μm |
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崩邊 |
chip |
深度<0.3mm；長(zhǎng)度<0.5mm。 |
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微裂紋 |
Crack |
不允許 |
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外觀(guān) |
Appearance |
目視檢查無(wú)污點(diǎn),缺口,孔洞和裂紋 |
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晶粒尺寸 |
Crystal Grain |
≥1cm2 |
公司網(wǎng)站 http://www.xzbjny.com
1. 類(lèi)型：P型；2. 尺寸：156×156±0.5mm；3. 厚度：200±20 us；4. 電阻：0.8~3Ω·cm
5. 少子壽命：≥ 2us；6. 損傷層：無(wú)；7. TTV：≤50um；8. 垂直度：90°±0.3°
9. 翹角度：≤ 40um；10. 氧含量：＜4×10 17cm－3 11. 碳含量：＜2×1018 cm－3
12. 表面完整光潔，無(wú)油污等水痕現(xiàn)象，無(wú)裂紋，針孔及明顯的切割線(xiàn)。
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