產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
DS1245Y-100,
DS1225AB-150IND2649DALLAS原裝現(xiàn)貨04+
DS1225AB-2002131DALLASDIP原裝現(xiàn)貨04+
DS1225AD-1503750DALLASDIP原裝現(xiàn)貨05+
DS1225AD-150IND2875DALLASDIP原裝現(xiàn)貨05+
DS1225AD-2002372DALLASDIP原裝現(xiàn)貨04+
DS1225AD-702724DALLASDIP原裝現(xiàn)貨05+
DS1225AD-852238DALLAS原裝現(xiàn)貨05+
DS1225Y-100IND4320DALLASDIP05+
DS1225Y-1502250DALLASDIP04+
DS1225Y-150IND2645DALLASDIP05+
DS1225Y-2003116DALLASDIP04+
DS1225Y-200IND2003DALLAS04+
DS1225Y-702870DALLAS05
DS1225Y-100 DS1225Y-120，DS1225Y-150，DS1225Y-200，
DS1225AD-70，DS1225AD-150，
在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù) 直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM 沒有寫次數(shù)限制 低功耗CMOS操作 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的28引腳DIP封裝 150ns的讀寫時間 ±10%工作范圍 可選的-40°C到+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND DS1225AB-100 -120 -150 -200 DS1225AD-100 -120 -150 -200 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù) 直接替代8k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM 沒有寫次數(shù)限制 低功耗CMOS操作 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的28引腳DIP封裝 70ns的讀寫存取時間 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài) ±10% VCC工作范圍(DS1225AD) 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1225AB) 可選的-40°C到+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IN
產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
DS1245Y-100,
