型號：K4T1G084QF-BCE6  
品牌：   SAMSUNG（三星）
類別：   DRAM~~ DDR2 SDRAM
容量及刷新速率：    1Gb, 8K/64ms
芯片結構：   x8
芯片排數(shù)： 8 Banks
內存接口，VDD，VDDQ： SSTL_18, 1.8V, 1.8V
內核代號：  F-die
產品封裝：  FBGA Flip-Chip (Lead-Free & Halogen-Free)
溫度/功耗：  Commercial Temp.(0°C ~ 85°C),Normal Power
速度：  DDR2-667 (333MHz@CL=5, tRCD=5, tRP=5)

----------------------------------------------------------------------------------------------------------                                                                                                                                             SDRAM 介紹

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
影響性能的主要時序參數(shù)
     所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因為要有命令、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。
 　　非數(shù)據(jù)傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數(shù)對內存的性能影響至關重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規(guī)的內存模組都會在標識上注明這三個參數(shù)值，可見它們對性能的敏感性。
　　 以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進行真正被讀取所花費的時間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮CL即可）：
                                                                                              

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