微波芯片電容器，射頻芯片電容器，微波電容，高頻電容

2 微波芯片電容器Microwave Chip Capacitors
2.1 概述Overview
2.1.1 產(chǎn)品的特性Features
隨著無線技術(shù)的迅猛發(fā)展，工作頻率的不斷升高，
對元器件的小型化要求越來越高。由于芯片電容器具有
以下特點，因此該產(chǎn)品非常適合對頻率、便攜性要求高
的無線應(yīng)用領(lǐng)域。
?? 陶瓷介質(zhì)，強(qiáng)度高，耐高溫
?? 結(jié)構(gòu)簡單(MIM 電容器結(jié)構(gòu))，性能穩(wěn)定可靠
?? TiW/Ni/Au 三層金屬電極，適合微組裝工藝（如金絲鍵合）
?? 適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn/Pb 、導(dǎo)電膠粘接
?? 低溫度變化率、低損耗、高Q 值
2.1.2 產(chǎn)品運(yùn)用Applications
?? 耦合（隔直）電容DC Block (coupling)
耦合隔直用電容作用是把射頻能量從電路的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分，能量損失最小。
?? 旁路電容（去耦）Bypass (decoupling)
旁路電容的作用是提供一條低阻抗射頻接地通道，旁路電容越多，其可靠性越差。
?? 匹配電容ImpedanceMatching
匹配電容是用來實現(xiàn)信號傳輸線路上，阻抗?jié)M足特定要求（如50 歐姆系統(tǒng)匹配）而設(shè)計的電容。
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2.1.3 基本參數(shù)Basic Parameters
?? 標(biāo)稱電容量Nominal Capacitance
?? 測量溫度Testing Temperature：25±3℃
?? 測量信號Testing Signal：1Vrms, 1MHz (Cp≤100pF) 或or 1KHz (Cp>100pF)
?? 容量標(biāo)識Capacitance Representation
電容量的標(biāo)識一般采用三個字符來表示容量。字母R 代表小數(shù)點的位置，如果三位字符均為數(shù)字時，末
尾數(shù)字代表0 的個數(shù)。
?? 電容量精度Capacitance Tolerance
相對標(biāo)稱值允許的誤差，以%表示；小容量時，以±⊿C 表示。
★TABLE 2-1 容量精度代碼表Capacitance tolerance code
代碼
Code A B C D F J K L M O Z V
含義
Signification ±0.05pF ±0.10pF ±0.25 pF ±0.50 pF ±1% ±5% ±10% ±15% ±20% ±40% -20%
+80%
0%
+100%
?? 工作電壓DC Working Temperature
確保電容器長期安全運(yùn)作的電壓
★TABLE 2-2 直流工作電壓代碼表DC Working voltage code
代碼Code 1 5 2 6
含義Signification 100V 50V 25V 16V
?? 絕緣電阻IR
測量條件Testing Condition: 工作電壓Operating Voltage, 5～30s
最小絕緣電阻Min IR: 請參見陶瓷介質(zhì)表Listed on DIELECTRIC TABLE, P4.
?? 介質(zhì)損耗DF
測量溫度Testing Temperature：25±3℃
測量信號Testing Signal：1Vrms, 1MHz (Cp≤100pF) 或or 1KHz (Cp>100pF)
損耗范圍DF Range: 請參見陶瓷介質(zhì)表Listed on DIELECTRIC TABLE, P4.
?? 工作溫度范圍Working temperature range：－55℃～＋125℃
?? 電容溫度系數(shù)或電容量變化率Temperature Coefficient or Rate of Temperature Change：
在工作溫度范圍內(nèi)，電容量變化以25℃為基準(zhǔn)。
★TABLE 2-3 電容溫度系數(shù)代碼表TCC Code
代碼Code F G W
含義Signification 0±30ppm/℃ -3300±500ppm/℃ ±15％
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2.1.4 陶瓷介質(zhì)Ceramic dielectric
★TABLE 2-4 陶瓷介質(zhì)表DIELECTRIC TABLE
介質(zhì)代碼
Dielectric Code
介電常數(shù)
Dielectric Constant
溫度系數(shù)代碼
TCC Code
損耗*值
Max. DF
最小絕緣電阻值Min IR
@ 25℃, 1mm×1mm×0.178mm
Ⅰ
M200 20@ 1MHz F 0.15%@ 1MHz 1000 GΩ
M400 40@ 1MHz F 0.15%@ 1MHz 1000 GΩ
M111 110@ 1MHz F 0.15%@ 1MHz 1000 GΩ
M221 220@ 1MHz G 0.30%@ 1MHz 1000 GΩ
Ⅱ
M901 900@ 1KHz W 0.50%@ 1KHz 100 GΩ
M302 3000@ 1KHz W 2.5% @ 1KHz 100 GΩ
M422 4200@ 1KHz W 2.5% @ 1KHz 100 GΩ
Ⅲ
M153 15000@ 1KHz W 2.5%@ 1KHz 10 GΩ
M253 25000@ 1KHz W 2.5%@ 1KHz 10 GΩ
M353 35000@ 1KHz W 2.5% @ 1KHz 10 GΩ

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