FDV301N ： 場效應 功能 參數(shù)詳解如下：

數(shù)據(jù)列表  ：  FDV301N
                                                                                              產(chǎn)品相片 ：   SOT-23-3
                                                                                          產(chǎn)品培訓模塊    ：    高壓開關對權力處理產(chǎn)品變化通告    ：    模復合的的變動12/十二月/2007產(chǎn)品目錄繪圖    ：    SuperSOT-3, SOT-23
標準包裝   ：   3,000

 類別     ：     分離式半導體產(chǎn)品 

 家庭     ：     FET - 單路 

 FET 型    ：    MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點   ：   邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C      ：            4 歐姆 @ 400mA, 4.5

漏極至源極電壓(Vdss)   ：       25V

 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C     ：          220mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）    ：     1.06V @ 250μA 
閘電荷(Qg) @ Vgs         ：       0.7nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)   ：   9.5pF @ 10V
功率 - 最大    ：     350mW
安裝類型    ：    表面貼裝 
封裝/外殼   ：    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包裝     ：     帶卷 (TR)       
供應商設備封裝      ：       SOT-23
其它名稱 :   FDV301NTR
數(shù)字場效應管 ：     

 一般說明：

1.這個n-channel邏輯電平增強型場效應晶體管被生產(chǎn)使用飛兆半導體的所有權，高細胞密度，工藝工程師職位要求技術。

2.這個很高密度進程尤其剪裁最小化通態(tài)阻力。

3.這個裝置已經(jīng)是計劃尤其給低電壓應用作為一個復位為數(shù)字晶體管。

4.自從偏見各種電阻不需要，這個一n-channel場效應管能取代幾不一樣的數(shù)字晶體管，同不同偏置電阻價值。

特征：

1. 25各變量，0。22一個連續(xù)，0。5一個高峰。鐵路發(fā)展策略(在)=5瓦特@氣床=2。7各變量鐵路發(fā)展策略(在)=4瓦特@氣床=4。5各變量

2. 很低級柵極驅動需求允許直接操作3v年線路。氣床(日)<1。06v。

3. gate-source齊納為公共服務電子化重現(xiàn)性。>6kv人體模型

4.取代多種產(chǎn)蛋雞對非蛋白氮數(shù)字晶體管同一工藝工程師職位要求場效應管。