主要用途:
是生產(chǎn)各種金屬膜電阻及氧化膜電阻的專用設(shè)備，可以完成高、中、低不同阻值的鍍膜工藝。

主要組成
設(shè)備由真空室、真空機(jī)組、直流濺射源、射頻濺射源、分流式滾筒、充氣裝置、真空測量及其它輔助裝置等組成。

主要特點(diǎn)
★生產(chǎn)能力大，根據(jù)型號的不同，每爐可鍍制裝載量達(dá)分別為10～11Kg、20～25Kg、30～40Kg左右的瓷體。
★磁控濺射源工作特性穩(wěn)定可靠，沉積速率高，陰極體采用可變磁場，大大提高了靶材的利用率，在40%以上。
★根據(jù)不同電阻值和工藝要求配置不同濺射源，工藝適應(yīng)性強(qiáng)。如配置射頻濺射源可鍍制介質(zhì)膜，配備離化源可鍍制氧化膜。
★采用特殊分流式滾筒，瓷體鍍制膜層均勻，阻值集中。
★如配用PLC可編程控制，設(shè)備自動化水平提高，性能更加可靠，操作更為簡便。
★調(diào)節(jié)沉積室的氣氛可控沉積膜的阻值和TCR（溫度系數(shù)）；鍍制后電阻在合適的“后調(diào)整”熱處理后TCR可接近于零。