3UF 1200VDC方形無感吸收電容

介質(zhì)材料： 有機薄膜 應(yīng)用范圍： 中和

外形： 方塊狀 功率特性： 中功率

頻率特性： 低頻 調(diào)節(jié)方式： 固定

引線類型： 同向引出線 允許偏差： ±10（%）  

耐壓值： 1600（V）  等效串聯(lián)電阻(ESR)： 0.2（mΩ）  

標稱容量： 3（uF）  損耗： 0.01

額定電壓： 1200（V）  絕緣電阻： 0.04（mΩ）  

溫度系數(shù)： 105

PL-DTM IGBT功率模塊保護電容器（直接安裝）

3UF 1200VDC方形無感吸收電容

低等效串聯(lián)電阻

低等效串聯(lián)電感

可承受非常高的du/dt

額定電壓: 700 to 3000 Vdc

額定電容量: 0.0047 - 5.6μF

執(zhí)行標準 GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1

金屬化聚丙烯膜無感卷繞而成

具有立式和臥式二種安裝形式，引出端子直接連接于IGBT模塊，最大限度減小回路電感量

具有低的ESR和高的dv/dt特性

可承受很大的峰-峰值電流IPP和高頻有效值電流Irms

可提供滿足各類IGBT/IGCT等電力電子功率器件所需的系列化產(chǎn)品

應(yīng)用范圍：高性價比，廣泛應(yīng)用于變頻器、功率電源、節(jié)能電磁設(shè)備、電機驅(qū)動、牽引、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風(fēng)力發(fā)電，電磁感應(yīng)加熱設(shè)備等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計的IGBT突波吸收.