| 電路內(nèi)部碳化硅的采用方式 |
| 2013-6-9 20:51:14 |
| (1)碳化硅在氧氣中被炮煉后，電爐的表層構(gòu)成致密的化合硅膜，變?yōu)榭够系谋Ｗo(hù)膜，起到延長爐齡的效用。近年來，開發(fā)了各樣涂層以堤防地道爐碳化硅裂化，用于有各樣氣態(tài)的爐內(nèi)。 (2)給碳化硅加的電流量越大，碳化硅的表層氣溫越高。意見采用盡力小的表層載荷密度(功率)。請注意碳化硅冷端紀(jì)載的數(shù)額為氧氣中1000℃的電流、電壓，與實際采用不必定相符。普通狀況下，碳化硅表層功率是由爐內(nèi)氣溫和碳化硅表層氣溫的關(guān)系求得，意見采用碳化硅極限密度的1/2-1/3數(shù)額的表層功率(W/ cm2) (3)接連采用碳化硅時，希望緩速增長內(nèi)阻以維系長爐齡。 (4)碳化硅盡可能并聯(lián)。如若碳化硅阻值不一樣，串連時內(nèi)阻高的碳化硅載荷聚積，致使某一個碳化硅內(nèi)阻快速增長，爐齡變短 (5)碳化硅的氣溫分布特性，新地道爐出貨時的檢查型號為在有效發(fā)燒寬度內(nèi)為Δ60℃以內(nèi)才算及格，果然氣溫分布會跟著其老化而變大的，終極可能達(dá)到200℃。具體氣溫分布變化也因爐內(nèi)氛圍、采用前提的不一樣而不一樣。 (6)碳化硅跟著采用氣溫越高爐齡為越短，所以在爐膛氣溫超1400℃之后，化合速度加速，爐齡縮短，采用中注意盡力不要給碳化硅表層溫渡過高。 |
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