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供應(yīng)P溝道場效應(yīng)管 MEM2301XG 原裝現(xiàn)貨

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供應(yīng)P溝道場效應(yīng)管 MEM2301XG 原裝現(xiàn)貨

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  • 單價(jià):
    面議
  • 可售數(shù)量:
    30000
  • 品牌名稱:
    ME
  • 所在地:
    廣東深圳
  • 產(chǎn)品規(guī)格:
  • 包裝說明:
    3K/盤
  • 商品名稱:供應(yīng)P溝道場效應(yīng)管 MEM2301XG 原裝現(xiàn)貨
  • 自定義分類:mos管
  • 上架時(shí)間:2014/7/16 15:15
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞: P溝道場效應(yīng)管,MEM2301XG,

General Description
MEM2301XG Series P-channel enhancement modefield-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation,and low power dissipation in a very small outline surface mount package.
Features
 -20V/-2.8A
 RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
 RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
 Subminiature surface mount package:SOT23

Typical Application
 Power management
 Load switch
 Battery protection

 

產(chǎn)品關(guān)鍵詞: P溝道場效應(yīng)管,MEM2301XG,
供應(yīng)P溝道場效應(yīng)管 MEM2301XG  原裝現(xiàn)貨
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