溫補晶振對溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了一些溫度補償手段, 主要原理是通過感應環(huán)境溫度,將溫度信息做適當變換后控制晶振的輸出頻率,達到穩(wěn)定輸出頻率的效果，傳統(tǒng)的溫補晶振TCXO 是采用模擬器件進行補償,隨著補償技術(shù)的發(fā)展,很多數(shù)字化補償大溫補晶振TCXO 開始出現(xiàn),這種數(shù)字化補償?shù)臏匮a晶振TCXO 又叫 DTCXO,用單片 機 進行補償時我們稱之為 MCXO,由于采用了數(shù)字化技術(shù),這一類型的晶振再溫 度特性上達到了很高的精度,并且能夠適應更寬的工作溫度范圍。 溫補晶振中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型 ?。?）直接補償型 直接補償型溫補晶振TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。 ?。?）間接補償型 間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。
溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。
| 溫補晶振 | DIP 40.0X25.5MM | TCXO | VC-TCXO | ||
| 一、溫補晶振 技術(shù)規(guī)格 | |||||
| 指標參數(shù) | 參數(shù)值 | 備注 | |||
| 頻率范圍 | 1-200MHZ | 可定制 | |||
| 輸出波形 | Sine | TTL | HCMOS | ||
| 輸出 | 輸出幅度 | 0-7dBm | 標準 | 標準 | 可定制 |
| 特性 | 輸出負載 | 50Ω | 15pF | 15pF | |
| 諧波/占空比 | -30dBc | 45-55% | 45-55% | ||
| 雜散抑制 | -70dBc | -70dBc | -70dBc | ||
| 溫度特性 | ±0.5-±2.0ppm | @25℃ | |||
| 年老化 | ±0.5-±1.0ppm | ||||
| 負載特性 | ±0.05ppm Max | Load±10% | |||
| 頻率 | 電源特性 | ±0.05ppm Max | VCC ±5% | ||
| 穩(wěn)定 | 相位噪聲 | ||||
| 性 | @10Hz | ≤-120dBc/Hz | |||
| @100Hz | ≤-135dBc/Hz | ||||
| @1KHz | ≤-140dBc/Hz | @10MHz | |||
| @10KHz | ≤-145dBc/Hz | ||||
| @100KHz | ≤-145dBc/Hz | ||||
| 頻率 | 調(diào)節(jié)方式 | 電壓調(diào)節(jié)/機械微調(diào)/NC不帶 | |||
| 調(diào)節(jié) | 壓控電壓范圍 | 按照客戶要求 | @電壓調(diào)節(jié) | ||
| 頻率調(diào)節(jié)范圍 | ±2-±8ppm | 可定制 | |||
| 電源 | 工作電壓 | 3.3V / 5V | |||
| 輸入 | 工作電流 | 15mA Max | @10MHz | ||
| 儲存溫度 | -55 ﹢125 ℃ | ||||
| 二、溫補晶振溫度特性ppm | |||||
| 工作溫度范圍 | ±0.5 | ±1.0 | ±1.5 | ±2.0 | |
| -20 ﹢60 ℃ | O | O | O | O | |
| -30 ﹢70 ℃ | O | O | O | O | |
| -40 ﹢85 ℃ | O | O | O | O | |
