儀器名稱

信號(hào)檢測(cè)

元素測(cè)定

檢測(cè)限

深度分辨率

適用范圍

掃描電子顯微鏡（SEM）

二次及背向散射電子&X射線

B-U (EDS mode)

0.1 - 1 at%

0.5 - 3 μm (EDS)

高辨析率成像

元素微觀分析及顆粒特征化描述

X射線能譜儀（EDS）

二次背向散射電子&X射線

B-U

0.1 – 1 at%

0.5 – 3 μm

小面積上的成像與元素組成；缺陷處元素的識(shí)別/繪圖；顆粒分析（>300nm）

顯微紅外顯微鏡（FTIR）

紅外線吸收

分子群

0.1 - 1 wt%

0.1 - 2.5 μm

污染物分析中識(shí)別有機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)

識(shí)別有機(jī)顆粒、粉末、薄膜及液體（材料識(shí)別）

量化硅中氧和氫以及氮化硅晶圓中的氫 （Si-H vs. N-H）

污染物分析（析取、除過氣的產(chǎn)品，殘余物）

拉曼光譜（Raman）

拉曼散射

化學(xué)及分子鍵聯(lián)資料

>=1 wt%

共焦模式
1到5 μm

為污染物分析、材料分類以及張力力測(cè)量而識(shí)別有機(jī)和無機(jī)化合物的分子結(jié)構(gòu)

拉曼，碳層特征 （石墨、金剛石 ）

非共價(jià)鍵聯(lián)壓焊(復(fù)合體、金屬鍵聯(lián))

定位(隨機(jī)v. 有組織的結(jié)構(gòu))

俄歇電子能譜儀（AES）

來自表面附近的Auger電子

Li-U

0.1-1%亞單層

20 – 200 ?側(cè)面分布模式

缺陷分析；顆粒分析；表面分析；小面積深度剖面；薄膜成分分析

X射線光電子能譜儀（XPS）

來自表面原子附近的光電子

Li-U化學(xué)鍵聯(lián)信息

0.01 - 1 at% sub-monolayer

20 - 200 ?（剖析模式）
10 - 100 ? (表面分析）

有機(jī)材料、無機(jī)材料、污點(diǎn)、殘留物的表面分析

測(cè)量表面成分及化學(xué)狀態(tài)信息

薄膜成份的深度剖面

硅 氧氮化物厚度和測(cè)量劑量

薄膜氧化物厚度測(cè)量（SiO2, Al2O3 等.）

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）

分子和元素種類

整個(gè)周期表，加分子種類

107 - 1010 at/cm2 sub-monolayer

1 - 3 monolayers (Static mode)

有機(jī)材料和無機(jī)材料的表面微量分析

來自表面的大量光譜

表面離子成像