因為碳化硅瓷器有著非常非常優(yōu)勝的機能，所以碳化硅瓷器非常非常受人群的公允，從而對碳化硅瓷器的開發(fā)和研制的方法也是許多許多的，以下就由定興冶煉為人們講述幾種常見的制備碳化硅瓷器方法。
碳化硅瓷器幾種制備方法：
（1）熱壓碳化硅瓷器 盡管在2000度以上的氣溫和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，不過通常仍是引用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一種與碳化硅中的雜質構成液相，經過液相促成燒結；一種是與SiC構成固溶體下降晶界能促成燒結。
（2）常壓碳化硅瓷器 常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的氣溫下，生成高純度、高致密的碳化硅瓷器。
（3）襯映碳化硅瓷器 襯映燒結碳化硅又名為自締結SIC。將碳化硅粉和石墨粉按必定的比率混合壓成坯體塊，炮煉到1650度前后，經過氣相與C襯映生成。
兩種相關氮化硅的監(jiān)制方法
兩種相關氮化硅的監(jiān)制方法:氮化硅瓷器制品的生產方法有兩種，即襯映燒結法和暖壓燒結法。襯映燒結法是將硅粉或者硅粉與氮化硅粉的混合料按普通瓷器制品生產方法成型。而后在氮化爐內，在1150~1200℃預氮化，得到必定烈度后，可在鋸床長進行機器拋光，接著在1350~1450℃深入氮化18~36h，直到全部成為氮化硅底止。這樣制得的商品比例精確，體積安定。熱壓燒結規(guī)則是將氮化硅粉與少許添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、AlF3或者Fe2O3等），在19.6MPa以上的壓力和1600~1700℃前提下壓熱成型燒結。通常熱壓燒結法制得的商品比襯映燒結制得的商品密度高，機能好。附表1中列出了這兩種方法生產的氮化硅瓷器的機能。
