隨著電子行業(yè)的發(fā)展，對(duì)于集成電路元器件的市場(chǎng)需求在不斷的增加。使用的過(guò)程中為了增加框架與芯片以及金屬絲之間的導(dǎo)電性能，我們需要對(duì)局部進(jìn)行電鍍銀處理。下面電鍍銀廠(http://www.tianfuchacheng.cn)就為大家簡(jiǎn)單介紹局部鍍銀技術(shù)的特點(diǎn)以及工藝條件。

　　上述所說(shuō)的局部電鍍技術(shù)就是在不需要電鍍的地方，采用比較精密的模具對(duì)其他的材料進(jìn)行掩蔽，這樣就可將電鍍使用在裸露的部位。當(dāng)引線框架被壓在上下的硅膠模中間的時(shí)候，只需要在中間進(jìn)行電鍍就可以了，其他區(qū)域會(huì)被上下的硅膠進(jìn)行封住，這樣就可以實(shí)現(xiàn)單面局部電鍍的作用。

　　局部鍍銀的特點(diǎn)，為了保證鍍層有比較好的可焊性，所以我們要擺正鍍層的純度以及厚度，鍍層的純度為99.9%，厚度要達(dá)到3.5μm以上;鍍層的外觀表層要均勻、細(xì)致，不能夠有粗糙、沾污、氧化現(xiàn)象。銀鍍層的亮度需要控制在半光亮。如果光度比較高，這樣鍍層的內(nèi)應(yīng)力、硬度、熔點(diǎn)相對(duì)來(lái)說(shuō)都會(huì)偏高，這樣將會(huì)影響到鍍層的可焊性。光亮度比較低，這樣將會(huì)導(dǎo)致鍍層疏松不致密，比較容易導(dǎo)致表面出現(xiàn)氧化的現(xiàn)象，表面出現(xiàn)氧化將會(huì)降低可焊性。因此，鍍層的光亮度需要保證均勻、結(jié)晶細(xì)致的情況下對(duì)光亮度進(jìn)行控制。(一般控制在GAM0.6～0.8為宜)

　　銀鍍層的結(jié)合力，鍍層的結(jié)合力一般都是使用高溫的辦法來(lái)進(jìn)行檢驗(yàn)，其中溫度要在450攝氏度中的高溫中烘烤3min，在烘烤的過(guò)程中要保證銀鍍層不能有起皮、剝落、變色、氧化等現(xiàn)象。

　　引線框架的的電鍍一般是局部單面進(jìn)行電鍍，這樣可以有效降低成本的需要，還是產(chǎn)品本身特性的要求。由于塑封材料與銅的結(jié)合力要比銀強(qiáng)的多，所以在性能上要求比較高的集成電路元件，對(duì)于框架上的電鍍銀要求比較高，所以在進(jìn)行電鍍的過(guò)程中漏鍍不能夠出現(xiàn)在塑料的封裝以外。

　　以上就是為大家講述電鍍銀在電子元件上的使用，這樣可以保證電子元件有比較的好的導(dǎo)電性能。