型號Type

PIR600B-P

封裝Encapsulation

TO-5

靈敏元面積Element

Size/Type

2.0mm ×1.1mm ×Gap  0.9mm   Dual,雙元

基片材料Window Material

硅 Si

基片厚度Window Thickness

0.5mm

窗口尺寸Window Size

4*3mm

工作波長Pass Band

5.5-14μm   (www.nisaila.com)

平均透過率Transmittance

＞75%

輸出信號Signal [Vp-p]

>≥ 3 Vp-p

環(huán)境溫度 25oC

黑體溫度 420K( 147?C )

調制頻率 1赫茲

放大倍數(shù) 72.5 dB（運算放大器5000倍）

Vd= 5V，Rs=47KΩ

靈敏度Sensitivity

3300V/W

探測率(D*)Detectivity

1.5×108 cmHz1/2/W

噪聲Noise(Vp-p)

<170mVp-p Max.(Typ. 100mVp-p)

環(huán)境溫度 25oC

放大倍數(shù) 72.5 dB（運算放大器5000倍）

Vd= 5V，Rs=47KΩ

平衡度Balance

＜15%

工作電壓Operating Voltage

2.2-15V

工作電流Operating Current

8.5-24μA

(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)

源極電壓Source Voltage

0.4-1.1V

(VD=5V,Rs=47kΩ,25℃)

工作溫度Operating Temperature

-30℃- +70℃

保存溫度Storage Temperature

-35℃- +80℃

響應時間

加電后信號穩(wěn)定輸出所需時間  <15S

[*]  平衡度 = VAB/|VA+VB| ×100%

         VAB=雙元的靈敏度 (mVp-p)

         VA = A單元的靈敏度 ( mVp-p )
         VB = B單元的靈敏度 ( mVp-p )

測試方法參見圖2及3。

視場Field of View

X:140°Y:130°參見圖：4及5

測試項目

測試條件

測試儀器

測試標準

高溫工作

70℃ 72小時

調溫箱

測試之后，傳感器在自然環(huán)境中放置3小時后測電性能。

1.外觀無明顯變化

2.電性能參數(shù)變化在20％以內

耐濕性

60℃，95％RH，72小時

調溫調濕箱

低溫存儲

-40℃ 72小時

調溫箱

高溫存儲

70℃ 72小時

調溫箱

熱沖擊

-40℃，1小時→室溫，1小時→70℃，1小時

10個循環(huán)

調溫箱

自然老化

室外，30天

測試樣機

耐焊性

260±5℃，10s

浸入深度3.0mm

焊錫爐

密封

133.3帕，1分鐘

真空泵

無氣泡產生

C6=1000p

C6=0.01u

R10

FTX

Tx

R10

FTX

Tx

1M

1.8KHz

27.4秒

100K

1.8KHz

27.4秒

100K

16.9KHz

2.94秒

10K

12.7KHz

3.86秒

10K

116KHz

0.41秒

1K

48.4KHz

1.5秒

R9

C7

FTi

Ti

1M

0.01u

189Hz

0.48秒

1M

0.1u

15.8Hz

3.1秒