中國的鋁電解電容器發(fā)展非常快,經(jīng)統(tǒng)計結(jié)果，97當年的鋁電解電容器產(chǎn)量約為150億只，經(jīng)預測這幾年年產(chǎn)量可能已超過200億只的實際狀況。從我國電子行業(yè)的發(fā)展狀況看，近幾年鋁電解電容器的產(chǎn)量還會有較大的提高。目前中國鋁電解電容器用化成箔一部分用國產(chǎn)箔，另有一部分為外資在大陸的生產(chǎn)企業(yè)所供,同樣還有一部份為進口。

　　鋁電解電容器中用的化成箔屬于,這是一種在極性條件下工作的腐蝕材料。不同極性的電子化成箔要求有不同的腐蝕類型。高壓陽極箔為柱孔狀腐蝕，低壓陽極箔為海綿狀腐蝕，中壓段的陽極箔為蟲蛀狀腐蝕。

　　上個世紀80年代以前，鋁電解電容器大都是沿用手工化學腐蝕，80年代之后采用自動電化學腐蝕。手工腐蝕用的化成箔純度較低（99.3％～99.7％），對化成箔加工質(zhì)量的要求也不高。自動電化學腐蝕要求化成箔的純度越來越高，對化成箔的加工質(zhì)量也要求越來越精。從鋁的純度而言，20世紀80年代鋁純度為99.99％，迄今鋁純度已達99.993％。這是電極箔的要求，也是鋁加工行業(yè)的技術(shù)在進步。

功率場效應管（MOSFET）是應用較多的開關(guān)器件，它有較高的開關(guān)速度，但同時也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時，在外電壓的作用下， 其寄生電容充滿電，如果在其開通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部，這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗，功率場 效應管宜采用零電壓開通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（Insu1ated Gate Bipo1ar tansistor，IGBT）是一種復合開關(guān)器件，關(guān)斷時的電流拖 尾會導致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零，則可以顯著地降低開關(guān)損耗，因此IGBT宜采用零電流（ZCS）關(guān)斷方式。IGBT在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開通時，并不能減小容性開通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器（ResonantConverter ，RC）、準諧振轉(zhuǎn)換器（Qunsi-Tesonant Converter，QRC）、多諧振轉(zhuǎn)換器（Mu1ti-ResonantConverter，MRC）、零電壓開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZVS PWM Converter）、零電流開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZCS PWM Converter）、零電壓轉(zhuǎn)換（Zero-Vo1tage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換（Zero- Vo1tage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展