高純”的相對名詞是指“雜質”，廣義的雜質是指化學雜質（元素）及“物理雜質”（晶體缺陷），后者是指位錯及空位等，而化學雜質是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只當金屬純度達到很高的標準時(如純度9以上的金屬)，物理雜質的概念才是有意義的，因此目前工業(yè)生產(chǎn)的金屬仍是以化學雜質的含量作為標準，即以金屬中雜質總含量為百萬分之幾表示。

  比較明確的辦法有兩種：一種是以材料的用途來表示，如“光譜純”、“電子級純”等；一種是以某種特征來表示，例如半導體材料用載流子濃度，即一立方厘米的基體元素中起導電作用的雜質個數(shù)（原子/厘米）來表示。而金屬則可用殘余電阻率(ρ4.2K/ρ300K)表示。

碲粉、高純碲粉、金屬碲粉、優(yōu)級純碲粉Tellurium powder

外觀：深灰色不規(guī)則顆粒粉

粒度：-200目（-74um）

CAS號: 13494-80-9  ；分子式: Te

特點: 溶于硫酸、硝酸、王水；不溶于冷水和熱水、二硫化碳。

熔點: 450°C ； 沸點: 1390°C

用途: 供半導體器件、合金、化工原料及鑄鐵、橡膠、玻璃等工業(yè)作添加劑用，還用作催化劑，著色劑等。

高純金屬，指的是相對高純度的金屬，一般指金屬純度達到純度9以上的金屬，物理雜質的概念才是有意義的，任何金屬都不能達到高純?！案呒儭本哂邢鄬Φ暮x，是指技術上達到的標準。由于技術的發(fā)展，也常使“高純”的標準升級。

純度表示

材料的純度對其性能超純金屬，特別是微電子學、光電子學性能影響很大，現(xiàn)代高技術產(chǎn)業(yè)要求制備出超純金屬以利于制作高性能器件。例如過去高純金屬的雜質為ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導體 材料的雜質達ppb級（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級（一萬億分之幾）表示。