反激式開(kāi)關(guān)電源多用于功率較小的場(chǎng)所或是多路輸出的場(chǎng)合。

反激式開(kāi)關(guān)電源不重要加磁復(fù)位繞組。

在反激式開(kāi)關(guān)電源中，在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷的時(shí)刻，反激式變幻器的變壓器儲(chǔ)能向負(fù)載拘留，磁芯自然復(fù)位，不需求加磁復(fù)位法度模范。在反激式開(kāi)關(guān)電源中，電壓器既具備儲(chǔ)能的功能，有具備變壓和間斷中止的功能。

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反激式開(kāi)關(guān)電源的正反兩形

反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓脈動(dòng)系數(shù)，和正激式開(kāi)關(guān)電源的脈動(dòng)系數(shù)根本一樣，然而電流的脈動(dòng)系數(shù)是正激式開(kāi)關(guān)電源的電流脈動(dòng)系數(shù)的 兩倍。由此可知，反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓與電流的輸入本色要比正激式開(kāi)關(guān)電源的差。

額定是，反激式開(kāi)關(guān)電源使用的時(shí)分，為了提防電源開(kāi)關(guān)管過(guò)壓擊，起占空比 一般都小于0.5，而今，流過(guò)變壓器次級(jí)線圈的電流會(huì)呈現(xiàn)斷續(xù)，電壓和電流的脈動(dòng)系數(shù)都邑增加，其電壓和電流的輸入賦性將會(huì)變得更差。

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開(kāi)關(guān)電源IGBT的手藝擱淺理論上是通態(tài)壓降，神速開(kāi)關(guān)和高耐壓伎倆三者的折衷。跟著功底和構(gòu)造模式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型與電場(chǎng)遏制（FS）型。

碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的志向材料，其益處是：禁帶寬、任務(wù)溫度高（可達(dá)600℃）、熱強(qiáng)項(xiàng)性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、泄電流極小、 PN結(jié)耐壓高等，無(wú)利于制作出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體電子元器件。

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