開關電源IGBT的手藝擱淺理論上是通態(tài)壓降，神速開關和高耐壓伎倆三者的折衷。跟著功底和構造模式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，有以下幾種類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型與電場遏制（FS）型。

碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的志向材料，其益處是：禁帶寬、任務溫度高（可達600℃）、熱強項性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、泄電流極小、 PN結耐壓高等，無利于制作出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。

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開關電源的負載問題有哪些呢？下面小編帶大家了解一下：

①開關電源在空載或輕載的情況下，在某些工作點處會發(fā)生振蕩氣象，透露表現(xiàn)為變壓器的嘯叫與輸出的不倔強。

發(fā)生發(fā)火這類氣象是由于空載/輕載時，開關剎那開明年光過大從而造成輸入能量太大，進而電壓過沖也很大，必要較長的時日去復原到畸形電壓，因而開關需中斷工作一段歲月，何等開關就任務于間歇性任務形式，使變壓器發(fā)作較低頻次(有軌則的間歇性全遏制周期或占空比劇烈變更的頻次)的振動。

②變壓器工作在很有問題的超載狀態(tài)，時辰都有銷毀的或許——這就是良多電源毀壞前“慘叫”的由來。

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開關電源功率密度

行進開關電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們絡續(xù)起勁謀求的指數(shù)。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。

電源的小型化、加劇重量對便攜式電子設備（如移動電話，數(shù)字相機等）尤為須要。使開關電源小型化的詳細門徑有：

高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度，必需進步PWM變換器的任務頻次、從而減小電路中儲能元件的體積分量。

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