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四維恒通、襄陽(yáng)局部放電測(cè)試儀、局部放電測(cè)試儀原理

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四維恒通、襄陽(yáng)局部放電測(cè)試儀、局部放電測(cè)試儀原理

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  • 單價(jià):
    面議
  • 可售數(shù)量:
    20000
  • 品牌名稱(chēng):
    四維恒通
  • 所在地:
    湖北武漢
  • 產(chǎn)品規(guī)格:
  • 包裝說(shuō)明:
  • 商品名稱(chēng):四維恒通、襄陽(yáng)局部放電測(cè)試儀、局部放電測(cè)試儀原理
  • 自定義分類(lèi):四維恒通
  • 上架時(shí)間:2016/10/22 14:11
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞: 局部放電測(cè)試儀價(jià)格,

主要性能技術(shù)指標(biāo) 1、可測(cè)試品的電容量范圍6PF~250μF。2、檢測(cè)靈敏度允許電流(見(jiàn)表一):表一、檢測(cè)靈敏度及輸入單元允許電流值。 輸入單元序號(hào)調(diào)諧電容范圍靈敏度(PC)(不平衡電路)允許電流有效值不平衡電路平衡電路10~25~100PF0.0230mA0.25A225~100~400PF0.0450mA0.5A3100~400~1500PF0.06120mA1A4400~1500~6000PF0.10.25A2A51500~6000~25000PF0.20.5A4A60.006~0.025~0.1μF0.31A8A70.025~0.1~0.4μF0.52A15A80.1~0.4~1.5μF14A30A90.4~1.5~6.0μF1.58A60A101.5~6.0~25μF2.515A120A116.0~25~60μF525A200A1225~60~250μF1050A300A7R電阻0.52A15A 3、測(cè)量通道:3路(標(biāo)準(zhǔn))4、橢圓掃描時(shí)基:(1)頻率50(內(nèi))、100、150、200、400HZ。(2)旋轉(zhuǎn):以30°為一檔。(3)工作方法:橢圓-擴(kuò)展-直線。(4)高頻時(shí)基橢圓可按輸入電壓(10~250V)調(diào)節(jié)至正常大小,其攝取功率<1伏安,并有過(guò)載自動(dòng)保護(hù)裝置。5、顯示單元采用124×104mm2矩形示波管,有亮度與聚焦調(diào)節(jié)旋紐。6、放大器(1)3dB低頻端頻率fL:10、20、40KHZ任選。(2)3dB高頻端頻率fH:80、200、300KHZ任選。(3)增益調(diào)節(jié),粗調(diào)6檔,檔間增益差20±1dB,細(xì)調(diào)范圍>20dB。(4)正負(fù)脈沖響應(yīng)不對(duì)稱(chēng)性<1dB。7、時(shí)間窗(1)窗寬:可調(diào),50HZ下15°~ 150°。(2)窗位置:每一窗可旋轉(zhuǎn)0°~ 170°。(3)兩個(gè)時(shí)間窗可分別或同時(shí)開(kāi)。(4)具有一次性轟擊裝置,轟擊時(shí)間約20ms(供拍照用)。8、脈沖峰值表(1)線性刻度指針式表頭0—100  誤差±5%(以滿刻度計(jì))。(2)對(duì)數(shù)刻度指針式表頭0—10—100  誤差±5%(以滿刻度計(jì))。(3)數(shù)字表頭:以3位半LED數(shù)字表顯示                     0—100    誤差:±3%(以滿刻度計(jì))。9、試驗(yàn)電壓表(1)量程100KV(用100KV電壓表電阻R)。(2)顯示:3位半數(shù)字電壓表。(3)誤差:±3%。10、零標(biāo)系統(tǒng)(1)內(nèi)部零標(biāo)發(fā)生器的零標(biāo)志可變換極性,并可旋轉(zhuǎn)0~180°以使本電壓電阻R產(chǎn)生的真零標(biāo)位置極性相符。(2)零標(biāo)志與所有橢圓掃描頻率相一致。11、結(jié)構(gòu)(1)體積530×550×220mm3(2)重量:約22KG。


在變壓器局部放電測(cè)試中,各種干擾同樣能通過(guò)測(cè)試回路反映到示波圖或指示儀表中來(lái),干擾信號(hào)和局部放電信號(hào)混雜在一起,就給局部放電信號(hào)的觀察和

測(cè)量帶來(lái)了很大的困難.另外,局部放電產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)很微弱,僅為微伏級(jí),很容易被外界干擾信號(hào)所淹沒(méi)。因此,如何正確區(qū)分干擾信號(hào)以至消除干擾信號(hào)就成為能否順利進(jìn)行局部放電試驗(yàn)的關(guān)鍵。特別對(duì)于高電壓產(chǎn)品的局部放電測(cè)試,這一點(diǎn)尤其要給予足夠重視。




局部放電對(duì)絕緣材料的破壞作用是與局部放電消耗的能量直接相關(guān)的,因此對(duì)放電消耗功率的測(cè)量很早就引起人們的重視。在大多數(shù)絕緣結(jié)構(gòu)中,隨著電壓的升高,絕緣中氣隙(或氣泡)的數(shù)目將增加。此外局部放電的現(xiàn)象將導(dǎo)致介質(zhì)的損壞,從而使得tgδ大大增加。因此可以通過(guò)測(cè)量tgδ的值來(lái)測(cè)量局部放電能量從而判斷絕緣材料和結(jié)構(gòu)的性能情況。  介質(zhì)損耗分析法特別適用于測(cè)量低氣壓中存在的輝光或者亞輝光放電。由于輝光放電不產(chǎn)生放電脈沖信號(hào),而亞輝光放電的脈沖上升時(shí)間太長(zhǎng),普通的脈沖電流法檢測(cè)裝置中難以檢測(cè)出來(lái)。但這種放電消耗的能量很大,使得?tgδ很大,故只有采用電橋法檢測(cè)?tgδ才能判斷這種放電的狀態(tài)和帶來(lái)的危害。但是,DLA方法只能定性的測(cè)量局部放電是否發(fā)生,基本不能檢測(cè)局部放電量的大小,這限制了DLA方法的運(yùn)用。


產(chǎn)品關(guān)鍵詞: 局部放電測(cè)試儀價(jià)格,
四維恒通、襄陽(yáng)局部放電測(cè)試儀、局部放電測(cè)試儀原理
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