我們來(lái)說(shuō)說(shuō)固態(tài)硬盤(pán)和傳統(tǒng)硬盤(pán)相比，其技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)在那里。

  首先自然是性能上的差異，固態(tài)硬盤(pán)的工作原理和傳統(tǒng)硬盤(pán)完全不同，極大的性能優(yōu)勢(shì)就是幾乎不存在尋道時(shí)間的問(wèn)題。由工作原理和物理結(jié)構(gòu)決定，機(jī)械硬盤(pán)需要頻繁驅(qū)動(dòng)磁頭，進(jìn)行尋道過(guò)程。而且如果文件碎散，硬盤(pán)的讀取/寫(xiě)入速度會(huì)大打折扣，而SSD依然堅(jiān)挺。

  此外，還有一個(gè)平均潛伏時(shí)間也制約著硬盤(pán)的性能。這指的是磁頭在找到數(shù)據(jù)存放的磁道后，繼續(xù)尋找數(shù)據(jù)所在扇區(qū)的時(shí)間。通?？梢酝ㄟ^(guò)提升硬盤(pán)轉(zhuǎn)速來(lái)縮短平均潛伏時(shí)間。只是，轉(zhuǎn)速提升會(huì)帶來(lái)穩(wěn)定性、散熱、噪音等一系列問(wèn)題。目前消費(fèi)級(jí)硬盤(pán)常見(jiàn)的也只是7200rpm的產(chǎn)品，10000和15000rpm通常只會(huì)出現(xiàn)在服務(wù)器領(lǐng)域。

  尋道時(shí)間加上潛伏時(shí)間，構(gòu)成硬盤(pán)的平均存取時(shí)間。這一指標(biāo)影響著硬盤(pán)的相關(guān)性能。在目前我們測(cè)試的機(jī)械硬盤(pán)中，平均存取時(shí)間一般都在15ms以上。而固態(tài)硬盤(pán)幾乎則沒(méi)有存取時(shí)間這個(gè)概念，在測(cè)試軟件中，固態(tài)硬盤(pán)的平均存儲(chǔ)時(shí)間結(jié)果往往是“＜0.1ms”。所以，廠商的技術(shù)人員也說(shuō)過(guò)，固態(tài)硬盤(pán)性能和傳統(tǒng)硬盤(pán)性能上“不在一個(gè)數(shù)量級(jí)”。

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  DDR、DDR2和DDR3他們相同之處就在于改進(jìn)了SDRAM的在一個(gè)周期內(nèi)只能在升的時(shí)候進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸弊端，他們都可以在升和降兩個(gè)階段進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以工作頻率擴(kuò)大一倍。但是他們不同的在于他們的預(yù)讀取的能力不相同，DDR預(yù)讀取2bit，DDR2預(yù)讀取4bit，DDR3預(yù)讀取8bit，所以在內(nèi)存顆粒的核心頻率相同的時(shí)候，DDR的等效頻率是核心顆粒頻率的2倍，DDR2是四倍，DDR3是八倍。也就是DDR系列的內(nèi)存有兩個(gè)地方提升了頻率，一、一個(gè)時(shí)間周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸提升了工作頻率。第二、增加了預(yù)讀取技術(shù)提升了等效頻率，而計(jì)算內(nèi)存帶寬的時(shí)候用到的就是等效頻率。

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  低壓版的DDR3L能否工作在Haswell平臺(tái)以外的筆記本上？

  答案是肯定的， DDR3L內(nèi)存可以工作在非Haswell平臺(tái)，且并不限于IVB，理論上Sandy Bridge（2011年發(fā)布，下文簡(jiǎn)稱(chēng)SNB，屬于二代智能酷睿處理器）和更老的Calpella（2010年發(fā)布，第.一代智能酷睿處理器）平臺(tái)筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識(shí)別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容，可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。

     究其原因，是DDR3L內(nèi)存的SPD芯片里會(huì)包含支持電壓的數(shù)據(jù)，可根據(jù)芯片組的內(nèi)存插槽的支持自適應(yīng)1.5V或1.35V的工作電壓。但是，正如前文所說(shuō)，英特爾方面是從IVB開(kāi)始才引入DDR3L內(nèi)存的支持規(guī)范，也就是說(shuō)DDR3L只有安裝在2012年IVB或Haswell平臺(tái)才能工作在1.35V的低壓上，而安裝在更老的平臺(tái)時(shí)依舊只能以1.5V的電壓運(yùn)行，起不到節(jié)能環(huán)保的效果。此外，部分老款筆記本可能存在一定的“挑內(nèi)存”現(xiàn)象?？傊瑸榱吮苊獬霈F(xiàn)不可預(yù)見(jiàn)的兼容性問(wèn)題，并且根據(jù)物盡其用的原則，我們只建議2012年下半年才上市的IVB和Haswell平臺(tái)新品與DDR3L內(nèi)存搭配。

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