漏感尖峰

由于實際變壓器都存在漏感，在MOS管關(guān)斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級，因此必然會尋找一個放電通道，初級的RCD吸收就是為此而設(shè)。如果沒有吸收，從理論上來說，會在MOS的D級對地形成一個無限高的尖峰（當(dāng)然，實際電路都會存在分布的電容，這個尖峰不會有無限高），因此足夠的吸收是相當(dāng)重要的。一般來說，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問題，有時侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應(yīng)力的要求。

四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：

1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復(fù)二極管），可以從一定程度上降低感應(yīng)出來的尖峰。更換D后，要重新測量D的溫升。

2.由于電應(yīng)力超標(biāo)一般都發(fā)生在異常狀態(tài)下，此時的占空比一般是處于失控狀態(tài)，所以此時的初級峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關(guān)斷時，尖峰自然也會變大。因此控制峰值電流對抑制尖峰作用是比較明顯的?？刂品逯惦娏鞯拇胧┮话阌校篴.控制異常狀態(tài)時的最占容比，這對于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級sense電阻（初級取樣電阻）值，對于電流控制型的芯片，這個方法是有效的。其機(jī)理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來關(guān)斷MOS的，電阻變大則能較早關(guān)斷MOS，防止電流沖地過高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級電感量，機(jī)理和b類似;d.降低MOS的關(guān)斷速度，這一般可以從MOS 驅(qū)動電路上下手，但同時也應(yīng)注意MOS的發(fā)熱量。另外，在初級增加電壓初償也是一個辦法，即從初級濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測（Isense）腳，一定上程度也可以對降低MOS尖峰有效。

上述各種方案措施的實施后，一定要對開關(guān)電源的其它指標(biāo)進(jìn)行確認(rèn)，以避免極端優(yōu)化一個參數(shù)，而引起其它參數(shù)惡化的現(xiàn)象。

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開關(guān)電源就選沃爾！

變頻器的開關(guān)電源電路完全可以簡化為上圖電路模型，電路中的關(guān)鍵要素都包含在內(nèi)了。而任何復(fù)雜的開關(guān)電源，剔除枝蔓后，也會剩下上圖這樣的主干。其實在檢修中，要具備對復(fù)雜電路的“化簡”的能力，要在看似雜亂無章的電路伸展中，拈出這幾條主要的脈絡(luò)。要向解牛的庖丁學(xué)習(xí)，訓(xùn)練自己的眼前不存在什么整體的開關(guān)電源電路，只有各部分脈絡(luò)和脈絡(luò)的走向——振蕩回路、穩(wěn)壓回路、保護(hù)回路和負(fù)載回路等。

看一下電路中有幾路脈絡(luò)。

1、振蕩回路：開關(guān)變壓器的主繞組N1、Q1的漏--源極、R4為電源工作電流的通路；R1提供了啟動電流；自供電繞組N2、D1、C1形成振蕩芯片的供電電壓。這三個環(huán)節(jié)的正常運行，是電源能夠振蕩起來的先決條件。

當(dāng)然，PC1的4腳外接定時元件R2、C2和PC1芯片本身，也構(gòu)成了振蕩回路的一部分。

2、穩(wěn)壓回路：N3、D3、C4等的+5V電源，R7—R10、PC3、R5、R6等元件構(gòu)成了穩(wěn)壓控制回路。

當(dāng)然，PC1芯片和1、2腳外圍元件R3、C3，也是穩(wěn)壓回路的一部分。

3、保護(hù)回路：PC1芯片本身和3腳外圍元件R4構(gòu)成過流保護(hù)回路；N1繞組上并聯(lián)的D2、R6、C4元件構(gòu)成了IGBT的保護(hù)電路；實質(zhì)上穩(wěn)壓回路的電壓反饋信號——穩(wěn)壓信號，也可看作是一路電壓保護(hù)信號。但保護(hù)電路的內(nèi)容并不僅是局限于保護(hù)電路本身，保護(hù)電路的起控往往是由于負(fù)載電路的異常所引起。

4、負(fù)載回路：N3、N4次級繞組及后續(xù)電路，均為負(fù)載回路。負(fù)載回路的異常，會牽涉到保護(hù)回路和穩(wěn)壓回路，使兩個回路做出相應(yīng)的保護(hù)和調(diào)整動作。

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