漏感尖峰
由于實(shí)際變壓器都存在漏感，在MOS管關(guān)斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級(jí)，因此必然會(huì)尋找一個(gè)放電通道，初級(jí)的RCD吸收就是為此而設(shè)。如果沒(méi)有吸收，從理論上來(lái)說(shuō)，會(huì)在MOS的D級(jí)對(duì)地形成一個(gè)無(wú)限高的尖峰（當(dāng)然，實(shí)際電路都會(huì)存在分布的電容，這個(gè)尖峰不會(huì)有無(wú)限高），因此足夠的吸收是相當(dāng)重要的。一般來(lái)說(shuō)，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會(huì)有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問(wèn)題，有時(shí)侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應(yīng)力的要求。
四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：
1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復(fù)二極管），可以從一定程度上降低感應(yīng)出來(lái)的尖峰。更換D后，要重新測(cè)量D的溫升。
2.由于電應(yīng)力超標(biāo)一般都發(fā)生在異常狀態(tài)下，此時(shí)的占空比一般是處于失控狀態(tài)，所以此時(shí)的初級(jí)峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關(guān)斷時(shí)，尖峰自然也會(huì)變大。因此控制峰值電流對(duì)抑制尖峰作用是比較明顯的。控制峰值電流的措施一般有：a.控制異常狀態(tài)時(shí)的最占容比，這對(duì)于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級(jí)sense電阻（初級(jí)取樣電阻）值，對(duì)于電流控制型的芯片，這個(gè)方法是有效的。其機(jī)理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來(lái)關(guān)斷MOS的，電阻變大則能較早關(guān)斷MOS，防止電流沖地過(guò)高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級(jí)電感量，機(jī)理和b類似;d.降低MOS的關(guān)斷速度，這一般可以從MOS 驅(qū)動(dòng)電路上下手，但同時(shí)也應(yīng)注意MOS的發(fā)熱量。另外，在初級(jí)增加電壓初償也是一個(gè)辦法，即從初級(jí)濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測(cè)（Isense）腳，一定上程度也可以對(duì)降低MOS尖峰有效。
上述各種方案措施的實(shí)施后，一定要對(duì)開(kāi)關(guān)電源的其它指標(biāo)進(jìn)行確認(rèn)，以避免極端優(yōu)化一個(gè)參數(shù)，而引起其它參數(shù)惡化的現(xiàn)象。
在電源的學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)中，乃至行業(yè)的研發(fā)設(shè)計(jì)方面，通常也會(huì)遇到AC-DC模塊電源的問(wèn)題。因其特點(diǎn)出眾，此類產(chǎn)品的應(yīng)用非常廣泛，其主要特點(diǎn)就是小型化。那么什么是AC-DC模塊電源，有什么樣的特點(diǎn)呢？
一般通常意義上dc很容易理解就是直流的意思，比較常見(jiàn)的有ac-dc、dc-ac、dc-dc、ac-ac，這些都是交流的意思，一般的電池電源模塊指的是dc-dc、
在開(kāi)關(guān)電源的學(xué)習(xí)中會(huì)遇到一些非常接近的名詞，很容易混淆。本文我們來(lái)說(shuō)說(shuō)開(kāi)關(guān)電源適配器和開(kāi)關(guān)電源的區(qū)別，及對(duì)于電源適配器的定義組成問(wèn)題。在實(shí)際意義上兩者之間并沒(méi)有很大的區(qū)別，兩者都是電源。開(kāi)關(guān)電源實(shí)際是一種電源技術(shù)，而電源適配器是電子產(chǎn)品電源的一個(gè)總稱，它的設(shè)計(jì)會(huì)采用開(kāi)關(guān)電源，也會(huì)采用其他的如變壓器或其他供電方式。所以說(shuō)電源適配器并不是全部是由開(kāi)關(guān)電源組成。
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