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【原創(chuàng)內(nèi)容】
但當(dāng)它作為一個(gè)元件(或作為電路的一部分)被接入放大電路后,其內(nèi)部的電流就會(huì)被放大成為噪聲源,特別是對(duì)工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。通常在工頻內(nèi),電路的熱噪聲與通頻帶成正比,通頻帶越寬,電路熱噪聲的影響就越大。www.rg8855.com T18937833412由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí),N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng),相當(dāng)于對(duì)電容充電。1、低頻噪聲 低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導(dǎo)電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻,其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒,顆粒之間是不連續(xù)的,在電流流過(guò)時(shí),會(huì)使電阻的導(dǎo)電率 發(fā)生變化引起電流的變化7.電路設(shè)計(jì)是傳感器性能是否優(yōu)越的關(guān)鍵因素,由于傳感器輸出端都是很微小的信號(hào),如果因?yàn)樵肼晫?dǎo)致有用的信號(hào)被淹沒(méi),那就得不償失了,所以加強(qiáng)傳感器電路的抗干擾設(shè)計(jì)尤為重要。在這之前,我們必須了解傳感器電路噪聲的來(lái)源,以便找出更好的方法來(lái)降低噪聲。3.根據(jù)電磁學(xué)原理,置于靜電場(chǎng)中的密閉空心導(dǎo)體內(nèi)部無(wú)電場(chǎng)線,其內(nèi)部各點(diǎn)等電位。用這個(gè)原理,以銅或鋁等導(dǎo)電性良好的金屬為材料,制作密閉的金屬 容器,并與地線連接,把需要保護(hù)的電路值r其中,使外部干擾電場(chǎng)不影響其內(nèi)部電路,因此消除或減弱噪聲干擾的方法可以針對(duì)這三項(xiàng)中的其中任意一項(xiàng)采取措施。而在傳感器檢測(cè)電路中比較常用的方法是對(duì)干擾途徑及接收電路采取相應(yīng)的措施以消除或減弱噪聲干擾。下面介紹幾種常用的、行之有效的抗干擾技術(shù)。由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí),N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng),相當(dāng)于對(duì)電容充電。由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí),N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng),相當(dāng)于對(duì)電容充電。
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