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東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)高純金屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術(shù)企業(yè)應用開發(fā)的科技型民營股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸發(fā)材料專業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中高級專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應用實驗室，具有很強的蒸發(fā)材料開發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內(nèi)外眾多知名電子、太陽能企業(yè)當中，以較高的性價比，成功發(fā)替代了國外進口產(chǎn)品，頗受用戶好評。

開封鈦酸鍶靶SrTiO3

公司主要經(jīng)營產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．高純真空濺射靶材（99.9％——99.999％） 

高純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等…… 

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜電阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材： 

金屬膜電阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。 

2．高純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％） 

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…T18919837845(不是聯(lián)系方式)

濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。

分類

根據(jù)形狀可分為長靶，方靶，圓靶，異型靶

根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材

根據(jù)應用不同又分為半導體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等

根據(jù)應用領(lǐng)域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材

【原創(chuàng)內(nèi)容】
物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應氣體流量，的保護手套，絕對避免用手直接接觸靶材二、靶材清潔靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過四步清潔，第一步用在丙酮中浸泡過的無絨軟布清潔；直接影響真空度獲得和增加成膜失敗的可能性。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化學雜質(zhì)含量超標經(jīng)常是由于不潔凈的濺射室、濺射槍和靶材引起的。為保持鍍膜的成分特性，濺射氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出，達到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時我們建議采導致在濺射過程中熱量無法散發(fā)最終會造成靶材開裂或脫靶為確保足夠的導熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細檢查和明確所使用濺射槍冷卻壁的平整度，同時確保O型密封圈始終在位置上。四、短路及密封性檢查靶材完成安裝后需要對整個陰極進行短路檢查及密封性檢查，建議通過使用電阻儀搖表的方式對陰極是否存在短用戶對背靶的檢查結(jié)果，如我們發(fā)現(xiàn)有需要維修的地方會書面通知客戶并提供維修報價。影響靶材中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應導致在濺射過程中熱量無法散發(fā)最終會造成靶材開裂或脫靶為確保足夠的導熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細檢查和明確所使用濺射槍冷卻壁的