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東莞市鼎偉靶材有限公司是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)高純金屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術(shù)企業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸發(fā)材料專(zhuān)業(yè)為技術(shù)依托，擁有多名中高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員和專(zhuān)業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，具有很強(qiáng)的蒸發(fā)材料開(kāi)發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性?xún)r(jià)比，成功發(fā)替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶(hù)好評(píng)。

鍍膜鈦酸鍶靶SrTiO3廠家直銷(xiāo)

公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品： 

一、真空鍍膜材料 

1．高純真空濺射靶材（99.9％——99.999％） 

高純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等…… 

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜電阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材： 

金屬膜電阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。 

2．高純光學(xué)鍍膜材料（99.99％——99.999％） 

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…T18919837845(不是聯(lián)系方式)

磁控濺射鍍膜靶材：

金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。

【原創(chuàng)內(nèi)容】
濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合路進(jìn)行判斷。在確定陰極不存在短路后，可以進(jìn)行檢漏檢查，將水通入陰極確定是否存在漏水現(xiàn)象。五、靶材預(yù)濺射靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作其是采用金屬銦進(jìn)行帖合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。如果是采用其他帖合劑（包括環(huán)氧樹(shù)脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背靶表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶(hù)平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。四、短路及密封性檢查靶材完成安裝后需要對(duì)整個(gè)陰極進(jìn)行短路檢查及密封性檢查，建議通過(guò)使用電阻儀搖表的方式對(duì)陰極是否存在短物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過(guò)度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類(lèi)靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類(lèi)靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個(gè)合理的功率加大速率為能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶(hù)提供的已使用過(guò)的背靶后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背靶進(jìn)行完全檢查，檢查的重點(diǎn)包括背靶的平整度，完整性及密封性等。我們會(huì)通知濺射工藝進(jìn)行過(guò)程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過(guò)程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合