設(shè)備簡介：

1.主要用于單、多晶硅太陽能電池片生產(chǎn),擴散前的絨面腐蝕和清洗。

2.工藝流程：

上料→HF+HNO3腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→KOH腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→HCl腐蝕→QDR+氮氣鼓泡+噴淋→下料→離心機甩干(離線)；

3.設(shè)備采用龍門式機械手方式移動，其工藝時間可以自行調(diào)節(jié)，酸堿槽具有自動補液裝置，可實現(xiàn)無間斷生產(chǎn)。能顯示溫度曲線、濃度變化曲線，及各個工位的工作狀態(tài)。具有設(shè)備報警說明，報警歷史查詢功能。對清洗用純水有電阻率監(jiān)測裝置，能存儲10個以上工藝方案；

4.標準工藝下產(chǎn)量：125mm×125mm、156mm×156mm、210mm×210mm的硅片，適用于投產(chǎn)厚度為160±30～200±30微米的硅片，硅片產(chǎn)能不低于1200片/小時，設(shè)備開工率＞92﹪，碎片率≤3‰。