高頻感應(yīng)加熱機(jī)http://www.huayigp.com/電源的負(fù)偏壓與功率擴(kuò)展電路：在了解了這種高頻感應(yīng)加熱電源的半橋串聯(lián)諧振逆變器設(shè)計(jì)圖之后，接下來我們來看一下如何完成負(fù)偏壓與功率擴(kuò)展電路的設(shè)計(jì)工作。給出了具體的負(fù)偏壓與功率擴(kuò)展電路。虛線右邊為功率擴(kuò)展電路，采用兩對P溝道和N溝道MOSFETQ1、Q3和Q2、Q4，組成推挽式輸出結(jié)構(gòu)。這是一個(gè)高輸入阻抗的功率緩沖器，可以產(chǎn)生8A峰值輸出電流，并且靜態(tài)電流是可以忽略的。在這一負(fù)偏壓與功率擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)的運(yùn)行過程中，當(dāng)輸入信號為高電平時(shí)，Q2的柵極也為高電平，從而Q2導(dǎo)通，這就使得Q3的柵極變?yōu)榈碗娖?，這樣Q3就導(dǎo)通，則輸出也為高電平;當(dāng)輸入信號為低電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，這就使得Q4的柵極變?yōu)楦唠娖?，這樣Q4就導(dǎo)通，則輸出也為低電平。其中，Q1、Q2對Q3、Q4來說是一個(gè)低電流的驅(qū)動器，Q3、Q4是輸出晶體管，它們的大小可以依據(jù)輸出峰值電流的需要來進(jìn)行選擇。當(dāng)輸入信號改變狀態(tài)時(shí)，R1限制在幾納秒時(shí)問內(nèi)兩晶體管同時(shí)導(dǎo)通時(shí)通過Q1、Q2的電流。當(dāng)輸入轉(zhuǎn)變到一個(gè)新的狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動器晶體管迅速釋放掉柵極的電荷，強(qiáng)制輸出晶體管關(guān)斷。與此同時(shí)，另一輸出晶體管的柵極迅速被R1充電，由R1和輸出晶體管的輸入電容所構(gòu)成的RC時(shí)間常數(shù)將會使導(dǎo)通延遲。

高頻感應(yīng)加熱機(jī)電路設(shè)計(jì)

      高頻感應(yīng)加熱機(jī)電源的驅(qū)動信號占空比調(diào)節(jié)電路：在本文所設(shè)計(jì)的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備電源驅(qū)動電路系統(tǒng)中，這種基于IR2110芯片所設(shè)計(jì)的半橋串聯(lián)諧振逆變器，主要采用M0SFET作為主開關(guān)器件，功率器件MOSFET在電路中的設(shè)計(jì)見圖1中的T1、T2。在這種半橋串聯(lián)諧振逆變器的控制電路中，我們主要采用鎖相環(huán)電路來實(shí)現(xiàn)頻率跟蹤，但是，在這種電路系統(tǒng)中，鎖相環(huán)MM74HC4046輸出信號的占空比為50%，若將其直接加到IR2110輸入端的話，那么輸出驅(qū)動信號的占空比也是50%，將其加到主開關(guān)器件T2、T2的門極之后，驅(qū)動信號將會受到線路雜散電感、寄生電容以及該MOSFET輸入阻抗、內(nèi)部寄生電容等的影響，使得占空比超過50%，從而無法設(shè)置正確的死區(qū)，不能滿足半橋串聯(lián)諧振逆變器的正常驅(qū)動要求。

     想要解決該電路系統(tǒng)中的占空比問題，我們可以使用一個(gè)相對而言比較簡單的方法，那就是在驅(qū)動電路的前級加占空比調(diào)節(jié)(死區(qū)形成)電路。將加到IR2110輸入端的驅(qū)動控制信號的的占空比變得小于50%，使得加到T1、T2門極驅(qū)動信號的占空比可靈活調(diào)節(jié)至略低于50%，從而可以產(chǎn)生滿足實(shí)際應(yīng)用需要的死區(qū)。http://www.huayigp.com/page40.html?article_id=186