Description
The si2308 uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation withgate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Batteryprotection or in other switching application.
General Features
● VDS =60V,ID =3A
RDS(ON) <105mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V
● High power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface mount package
N溝道MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOS管)的結(jié)構(gòu)及工作原理
結(jié)型場效應(yīng)管的輸入電阻雖然可達(dá)106～109W，但在要求輸入電阻更高的場合，還是不能滿足要求。而且，由于它的輸入電阻是PN結(jié)的反偏電阻，在高溫條件下工作時，PN結(jié)反向電流增大，反偏電阻的阻值明顯下降。與結(jié)型場效應(yīng)管不同，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）的柵極與半導(dǎo)體之間隔有二氧化硅（SiO2）絕緣介質(zhì)，使柵極處于絕緣狀態(tài)（故又稱絕緣柵場效應(yīng)管），因而它的輸入電阻可高達(dá)1015W。它的另一個優(yōu)點是制造工藝簡單，適于制造大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。
MOS管也有N溝道和P溝道之分，而且每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，二者的區(qū)別是增強(qiáng)型MOS管在柵-源電壓vGS=0時，漏-源極之間沒有導(dǎo)電溝道存在，即使加上電壓vDS（在一定的數(shù)值范圍內(nèi)），也沒有漏極電流產(chǎn)生（iD=0）。而耗盡型MOS管在vGS=0時，漏-源極間就有導(dǎo)電溝道存在。
