熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)價(jià)格_Optotherm IS640鎖相熱成像-立特為智能電話：15219504346 （溫先生）

關(guān)鍵詞：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的應(yīng)用非常廣泛，去封裝的芯片分析，未去封裝的芯片分析，電容，F(xiàn)PC,甚至小尺寸的電路板分析（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在對(duì)樣品的不同階段都可以使用thermal技術(shù)進(jìn)行分析，如下圖示例，樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電，將該器件拆下后發(fā)現(xiàn)漏電改善，對(duì)該器件焊引線出來(lái)，未開封定位為某引腳，開封后扎針上電再做分析，進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏電導(dǎo)致，如有需要可接著做SEM,FIB等分析。

未開封器件分析

開封器件分析

2. 它能偵測(cè)的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛，微安級(jí)漏電，低阻抗短路，ES擊傷，閂鎖效應(yīng)點(diǎn)，金屬層底部短路等等，而電容的漏電和短路點(diǎn)定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏電，微短路等也能夠精確定位

lock-in鎖相分析

開封芯片漏電分析

GAN-SIC器件

3，它是無(wú)損分析：作為日常的失效分析，往往樣品量稀少，這就要求失效分析技術(shù)最好是無(wú)損的，而對(duì)于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷，雖然電測(cè)能測(cè)出存在缺陷，但是對(duì)具體缺陷位置，市場(chǎng)上的無(wú)損分析如XRAY或超聲波，卻很難進(jìn)行定位，只能通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行破壞性切片分析，且只能隨機(jī)挑選位置，而通過(guò)Thermal 技術(shù)，你需要的只是給樣品上電，就可以對(duì)上述兩種缺陷進(jìn)行定位

FPC缺陷分析

電容缺陷分析

4,鎖相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用鎖相技術(shù)，將溫度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以偵測(cè)uA級(jí)漏電流和微短路缺陷，遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)偵測(cè)法（0.1℃分辨率，mA級(jí)漏電流熱點(diǎn)）

5，系統(tǒng)能夠測(cè)量芯片等微觀器件的溫度分布，提供了一種快速探測(cè)熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示出缺陷的位置，在半導(dǎo)體領(lǐng)域

在集成電路操作期間，內(nèi)部結(jié)自加熱導(dǎo)致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身，并且熱從接合部向外傳導(dǎo)到封裝中。因此，器件操作期間的精確結(jié)溫測(cè)量是熱表征的組成部分。

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具（如 圖像序列分析）可用于評(píng)估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過(guò)程，以便確定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)作為一臺(tái)專業(yè)為缺陷定位的系統(tǒng)，專為電子產(chǎn)品FA設(shè)計(jì)，通過(guò)特別的LOCK-IN技術(shù)，使用LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃（1mK），同時(shí)光學(xué)分辨率最高達(dá)到5um,尤其其軟件系統(tǒng)經(jīng)過(guò)多年的優(yōu)化，具有非常易用和實(shí)用，以下是OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)分析過(guò)程的說(shuō)明視頻

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