紅外顯微鏡成像系統(tǒng)參數_optotherm顯微熱成像-立特為智能電話：15219504346 （溫先生）
關鍵詞： Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system
1. 它的應用非常廣泛，去封裝的芯片分析，未去封裝的芯片分析，電容，FPC,甚至小尺寸的電路板分析（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術進行分析，如下圖示例，樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電，將該器件拆下后發(fā)現漏電改善，對該器件焊引線出來，未開封定位為某引腳，開封后扎針上電再做分析，進一步確認為晶圓某引線位置漏電導致，如有需要可接著做SEM,FIB等分析。
未開封器件分析
開封器件分析
2. 它能偵測的半導體缺陷也非常廣泛，微安級漏電，低阻抗短路，ES擊傷，閂鎖效應點，金屬層底部短路等等，而電容的漏電和短路點定位，FPC,PCB,PCBA的漏電，微短路等也能夠精確定位
lock-in鎖相分析
開封芯片漏電分析
GAN-SIC器件
3，它是無損分析：作為日常的失效分析，往往樣品量稀少，這就要求失效分析技術最好是無損的，而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷，雖然電測能測出存在缺陷，但是對具體缺陷位置，市場上的無損分析如XRAY或超聲波，卻很難進行定位，只能通過對樣品進行破壞性切片分析，且只能隨機挑選位置，而通過Thermal 技術，你需要的只是給樣品上電，就可以對上述兩種缺陷進行定位
FPC缺陷分析
電容缺陷分析
4,鎖相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用鎖相技術，將溫度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以偵測uA級漏電流和微短路缺陷，遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點偵測法（0.1℃分辨率，mA級漏電流熱點）
5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，提供了一種快速探測熱點和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示出缺陷的位置，在半導體領域
在集成電路操作期間，內部結自加熱導致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身，并且熱從接合部向外傳導到封裝中。因此，器件操作期間的精確結溫測量是熱表征的組成部分。
芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具（如 圖像序列分析）可用于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接合的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)作為一臺專業(yè)為缺陷定位的系統(tǒng)，專為電子產品FA設計，通過特別的LOCK-IN技術，使用LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃（1mK），同時光學分辨率最高達到5um,尤其其軟件系統(tǒng)經過多年的優(yōu)化，具有非常易用和實用，以下是OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)分析過程的說明視頻
LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國代表（獨家代理），在深圳設立optotherm紅外熱分析應用實驗室，負責該設備的演示和銷售，如有相關應用，可提供免費評估測試服務。
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