公司現(xiàn)已推出可用于使用SiC晶圓的家電和汽車功率元件量產(chǎn)的離子注入設(shè)備“IH-860DSIC”。吞吐量為30枚/小時(shí)（支持直徑為75mm-150mm的晶圓），“現(xiàn)已得到元件廠商的充分肯定，完全可用于量產(chǎn)”（Ulvac公司）。面向SiC元件量產(chǎn)的離子注入設(shè)備“為業(yè)界首例”（Ulvac公司），希望得到那些計(jì)劃2006年以后開始SiC元件量產(chǎn)的功率元件廠商的采用。
可在真空腔中連續(xù)更換晶圓
面向SiC元件的離子注入設(shè)備過去一直在由各設(shè)備廠商進(jìn)行開發(fā)，吞吐量較低，每天僅有幾枚，不適合量產(chǎn)。吞吐量之所以較低，是因?yàn)闊o法在腔內(nèi)連續(xù)更換晶圓。與硅晶圓相比，SiC晶圓容易因離子注入而產(chǎn)生結(jié)晶缺陷，注入離子時(shí)需要將晶圓溫度維持在500℃的高溫，在控制結(jié)晶缺陷產(chǎn)生的同時(shí)，注入離子。過去一直都是手工將晶圓固定在可調(diào)溫的晶圓座上，因此更換晶圓時(shí)需要在腔內(nèi)進(jìn)行放氣。
此次通過給設(shè)備配備可調(diào)溫的靜電吸盤（Electrostatic Chuck），解決了上述問題。靜電吸盤就是利用靜電作用力，將晶圓吸附到晶圓座上，能夠在真空腔內(nèi)連續(xù)更換晶圓。另外，通過采用可在2個(gè)晶圓座上配置SiC晶圓的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，能夠一邊向一個(gè)晶圓進(jìn)行離子注入，一邊同時(shí)給另一個(gè)晶圓座進(jìn)行升溫作業(yè)。由此，將吞吐量提高到了30枚/小時(shí)這種適用于量產(chǎn)的水平。
實(shí)現(xiàn)了支持SiC的高注入能量
此次的設(shè)備除吞吐量之外，還克服了量產(chǎn)所需的另一個(gè)條件。作為SiC晶圓，注入離子時(shí)在使晶圓保持高溫的同時(shí)，還需要加大注入能量。其原因在于，在離子注入完成后為消除結(jié)晶缺陷而進(jìn)行退火處理時(shí)離子不易擴(kuò)散，因此注入時(shí)需要給底板的表面至深處都注入離子。此次的設(shè)備將注入能量由過去的約400keV提高到了*700keV，達(dá)到了量產(chǎn)所要求的水平。
離子注入設(shè)備
SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC
搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
?可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入
?1價(jià)離子可注入至350keV、2價(jià)離子可注入至700keV
（Option：1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV）
?通過Dual-End-Station（雙工位）實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能；
（A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規(guī)格配置）
?可減輕操作員的負(fù)擔(dān)
? 緊湊式設(shè)計(jì)
?可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類需求
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
?對(duì)應(yīng)SiC的離子注入裝置。
研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500
中電流離子注入裝置IMX-3500為*能量200keV、對(duì)應(yīng)*晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用于大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究開發(fā)。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
? *晶圓尺寸8inch，搭載了可對(duì)應(yīng)不定形基板的臺(tái)板。
?離子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易處理的B、P、As離子等固體蒸發(fā)源。
?HV terminal的部分，與量產(chǎn)裝置是同樣的構(gòu)成，可確保高信賴性。
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
? 教育、研究開發(fā)等
高能對(duì)應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400
*可對(duì)應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
?枚葉式
?可對(duì)應(yīng)薄片Wafer
?平行Beam
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
? 功率器件相關(guān)薄片基板工藝、IGBT工藝
可對(duì)應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30
低加速、高濃度對(duì)應(yīng)的離子注入設(shè)備。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
?枚葉式
?可對(duì)應(yīng)薄片
?非質(zhì)量分離機(jī)的對(duì)比優(yōu)點(diǎn)
1)對(duì)應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備
2)相比過去約一半的低價(jià)
3)相比過往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計(jì)
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
?Power Device等薄片基板工藝、IGBT工藝
產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters
?基板尺寸：Max200mm
