PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-300高級版
（PICOSUN? ALD P-300 Advanced）
名稱：原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)地：芬蘭
Picosun簡介
Picosun是一家全球公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN?ALD設備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設計，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括zui 大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及全球ling先的大學。 Picosun的組織機構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN?研發(fā)工具具有獨特的內(nèi)置可擴展性，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當您想與設備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時，Picosun是您的合作伙伴。
PICOSUN? R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)*的均勻性，包括*挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。在最基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN? R系列獨特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會吸引到企業(yè)投資。
PICOSUN?R-300高級
Picosun? 300mm生產(chǎn)線上的產(chǎn)品是300mm以下晶圓的自動化、高產(chǎn)量的工業(yè)ALD加工設備。包括PICOSUN? P系列Pro和Advanced ALD設備。該工具可以獨立工作，也可以集成到PICOPLATFORM?300真空集群系統(tǒng)以達到更高的產(chǎn)量和自動化水平。為了節(jié)約昂貴的設施空間，所有PICOSUN?的ALD系統(tǒng)有著緊湊、高效的設計。集成的專業(yè)機柜，裝載著前驅(qū)體和電子元件，保證了快速簡便的維護和最短的停機時間。PICOSUN? P系列工具保證了*產(chǎn)能以及最節(jié)約成本的情況下得到優(yōu)秀的ALD工藝質(zhì)量，并履行嚴格的現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)力和安全要求。
工藝咨詢和開發(fā)，產(chǎn)能提升，維護保養(yǎng)流程和系統(tǒng)及工藝的故障排除，我們客戶化定制的PICOSUPPORT?綜合解決方案24小時快速響應，隨時待命。在購買之前，我們的演示服務保證了設備可以100%滿足客戶最苛刻的產(chǎn)線需求。
技術(shù)指標
襯底尺寸和類型 | 156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背） |
高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背） | |
大批量的3D產(chǎn)品（例如：鐘表部件，珠寶，硬幣，醫(yī)療植入部件，機械部件等） | |
粉末與顆粒 | |
Roll-to-roll, 襯底*寬 300 mm | |
多孔，通孔，與高深寬比（HAR）樣品 | |
工藝溫度 | 50-500℃ |
基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載） |
半自動裝載，用線性裝載器實現(xiàn) | |
全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機器人實現(xiàn) | |
前驅(qū)體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 |
前驅(qū)源余量傳感器，并提供清洗和裝源服務 | |
4根獨立源管線，最多加載6個前驅(qū)體源 | |
重量 | 400 + 300 kg |
尺寸 (W x H x D) | 149 cm x 191 cm x 111 cm |
選件 | PICOFLOW? 擴散增強器，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，與工廠軟件連接服務。 |
驗收標準 | 標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
應用領域
客戶使用PICOSUN? R系列ALD 設備在150mm和200mm（6“和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
