Picosun等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）系統(tǒng) PICOPLASMA

Picosun公司新型PICOPLASMA?等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）系統(tǒng)是基于先進(jìn)的自由離子遠(yuǎn)程等離子源設(shè)計(jì)的，其性能已經(jīng)得到世界范圍內(nèi)的諸多*研究團(tuán)隊(duì)的肯定。多種激發(fā)源（如氧、氫和氮等）配置能夠*化拓展ALD的工藝范圍，尤其是低溫沉積金屬和金屬氮化物薄膜。由于遠(yuǎn)程等離子源所產(chǎn)生的等離子體束流中離子的含量低，因此即使是最敏感的襯底，也不會出現(xiàn)等離子損傷，而等離子束流中含有高濃度的活性粒子，保證很快的生長速度。

PICOPLASMA?源系統(tǒng)既可以安裝在現(xiàn)有的PICOSUNTM ALD反應(yīng)器上，也可以將整個(gè)PEALD組裝為一個(gè)整體。它具有占地面積小、易維護(hù)和低運(yùn)行成本等優(yōu)點(diǎn)。通過預(yù)真空系統(tǒng)，PICOPLASMA?集成在PICOPLATFORM?集群系統(tǒng)中后可實(shí)現(xiàn)自動化操作。

PICOPLASMA? 遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

·對襯底無等離子損傷
·導(dǎo)電材料不會產(chǎn)生短路現(xiàn)象
· 無前驅(qū)源背擴(kuò)散→ 等離子發(fā)生器無薄膜形成
· 等離子體點(diǎn)火期間無壓力振蕩→ 無顆粒形成
· 等離子體源與襯底之間無閘門閥→ 無顆粒形成
· 等離子體源材料無刻蝕→ 金屬和氧化物薄膜低雜質(zhì)
· 簡單和快速服務(wù)并通過維護(hù)艙口改變腔室
· 無硬件修改使熱ALD和等離子ALD工藝在同一沉積腔室中進(jìn)行成為可能

應(yīng)用領(lǐng)域