HS-MWR-SIM無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀是一款功能強(qiáng)大的無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀，能夠?qū)尉?/span>硅棒、多晶硅塊及硅片提供快速、無(wú)接觸、無(wú)損傷單點(diǎn)少子壽命測(cè)試，其通過(guò)微波光電衰退特性原理來(lái)測(cè)量非平衡載流子壽命的，并且單晶硅棒、多晶硅塊無(wú)須進(jìn)行特殊處理。少子壽命測(cè)試量程從0.1μs到20ms,電阻率量程為>0.1Ω.cm,,是太陽(yáng)能電池硅片企業(yè)、多晶鑄錠企業(yè)、拉晶企業(yè)不可多得的測(cè)量?jī)x器。

產(chǎn)品特點(diǎn)

■無(wú)接觸和無(wú)損傷測(cè)量

■可移動(dòng)掃描頭，便于測(cè)量

■測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅片等少子壽命測(cè)量

■主要應(yīng)用于硅棒硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過(guò)程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等

■性?xún)r(jià)比高，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本

■質(zhì)保期：1年

推薦工作條件

■ 溫度：15-30℃
■ 濕度：10%~80%
■ 大氣壓：750±30毫米汞柱

技術(shù)指標(biāo)

■ 少子壽命測(cè)試范圍:0.1μs-20ms

■ 測(cè)試尺寸:尺寸不限

■ 測(cè)試時(shí)間：1-30s(具體和信號(hào)質(zhì)量及測(cè)試精度有關(guān))

■電阻率范圍：>0.1ΩNaN

■激光波長(zhǎng)：980±30nm,測(cè)試功率范圍：50-500mw,脈沖寬度調(diào)節(jié)范圍：0.5-60μs

■ 儀器測(cè)試精度：±3.5％

■ 工作頻率：10GHz±0.5

■ 微波測(cè)試單元功率：0.01W±10%

■ 電源：～220V  50Hz    功耗＜30W

■ 掃描頭尺寸：290mm *200mm *65mm,電器控制單元: 210mm*220mm*60mm

■ 掃描頭重量：3KG，電器控制單元：1kg

典型客戶(hù)

河北，江西，江蘇，浙江，新疆等地拉晶鑄錠客戶(hù)。