手動(dòng)硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度,該儀器適用于Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有的材料,所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))和Semi標(biāo)準(zhǔn),確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。
硅片無接觸測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)
■無接觸測(cè)量
■適用的晶圓材料包括Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有的材料
■ 厚度和TTV測(cè)量采用無接觸電容法探頭
■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和TTV值
■性價(jià)比高
■ 菜單式快速方便設(shè)置
■ 高分辨率液晶LCD顯示
■提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口
■ 提供打印機(jī)端口
■ 便攜且易于安裝
■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無接觸測(cè)量
■高質(zhì)量微處理器為精確和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障
■高質(zhì)量聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架,為晶圓硅片精確定位提供保障
無接觸硅片測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)
■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸:50mm- 300mm.
■厚度測(cè)試范圍:1000 um,可擴(kuò)展到1700 um.
■厚度測(cè)試精度:+/-0.25um
■厚度重復(fù)性精度:0.050um
■TTV 測(cè)試精度: +/-0.05um
■TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■彎曲度測(cè)試范圍:+/-500um [+/-850um]
■彎曲度測(cè)試精度:+/-2.0um
■彎曲度重復(fù)性精度: 0.750um
■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào):P 或 N型
■ 材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料
■ 可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等
■平面/缺口:所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
■硅片安裝:裸片,藍(lán)寶石/石英基底,黏膠帶
■連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量
應(yīng)用范圍
>切片
>>線鋸設(shè)置
>>>厚度
>>>總厚度變化TTV
>>監(jiān)測(cè)
>>>導(dǎo)線槽
>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
>>過程監(jiān)控
>>厚度
>>總厚度變化TTV
>>材料去除率
>>彎曲度
>>翹曲度
>>平整度
>研磨
>>材料去除率
>最終檢測(cè)
>>抽檢或全檢
>>終檢厚度
典型客戶
美國(guó),歐洲,亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。
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