手動(dòng)硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))和Semi標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。

硅片無接觸測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)

■無接觸測(cè)量
■適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料
■ 厚度和TTV測(cè)量采用無接觸電容法探頭
■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和TTV值
■性價(jià)比高
■ 菜單式快速方便設(shè)置
■ 高分辨率液晶LCD顯示
■提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口
■ 提供打印機(jī)端口
■ 便攜且易于安裝
■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無接觸測(cè)量
■高質(zhì)量微處理器為精確和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障
■高質(zhì)量聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架，為晶圓硅片精確定位提供保障

無接觸硅片測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)

■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸：50mm- 300mm.

■厚度測(cè)試范圍：1000 um，可擴(kuò)展到1700 um.
■厚度測(cè)試精度：+/-0.25um
■厚度重復(fù)性精度：0.050um

■TTV 測(cè)試精度: +/-0.05um
■TTV重復(fù)性精度: 0.050um

■彎曲度測(cè)試范圍：+/-500um [+/-850um]
■彎曲度測(cè)試精度：+/-2.0um
■彎曲度重復(fù)性精度： 0.750um

■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)：P 或 N型

■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料

■ 可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等

■平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口

■硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶

■連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量

應(yīng)用范圍

>切片

>>線鋸設(shè)置

>>>厚度

>>>總厚度變化TTV

>>監(jiān)測(cè)

>>>導(dǎo)線槽

>>>刀片更換

>磨片/刻蝕和拋光

>>過程監(jiān)控

>>厚度

>>總厚度變化TTV

>>材料去除率

>>彎曲度

>>翹曲度

>>平整度

>研磨

>>材料去除率

>最終檢測(cè)

>>抽檢或全檢

>>終檢厚度

典型客戶
美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。