科研實(shí)驗(yàn)專用硅靶材Si磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

     硅(Si)是地球上儲(chǔ)藏豐富的材料之一，熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件

產(chǎn)品參數(shù)

中文名硅            元素符號(hào)Si

原子量28.0855       沸點(diǎn) 2900℃

熔點(diǎn) 1414℃         密度 2.33g/cm3

支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)?。?

服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊?，質(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

      我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

      注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

      建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。