芯片失效分析（FA測(cè)試）

　　芯片失效分析測(cè)試項(xiàng)目：

　　光學(xué)檢查(VI/OM)；

　　掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；

　　微探針測(cè)試(Micro-probe)；

　　聚焦離子束微觀分析(Dualbeam-FIB)；

　　彈坑試驗(yàn)(cratering)；

　　芯片開封(decap)；

　　芯片去層(delayer)；

　　晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)；

　　PN結(jié)染色/碼染色試驗(yàn)；

　　推拉力測(cè)試(WBP/WBS)；

　　紅墨水試驗(yàn)；PCBA切片分析(X-section)；

　　GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：

　　芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：

　　芯片級(jí)預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103；

　　溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；

　　溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL/HAST),JESD22-A110；

　　高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片靜電測(cè)試(ESD)：

　　人體放電模式測(cè)試(HBM),JS001；

　　元器件充放電模式測(cè)試(CDM),JS002；

　　閂鎖測(cè)試(LU),JESD78；

　　TLP；Surge/EOS/EFT；

　　芯片材料分析：

　　高分辨TEM(形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF)；

　　SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD)；

　　Raman(Raman光譜)；AFM(微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量)；

　　廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

　　芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

　　芯片測(cè)試業(yè)務(wù)咨詢及技術(shù)交流：

　　GRGT張工186-2090+8348；

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