芯片高溫老化壽命試驗(yàn)（HTOL）

　　高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL)

　　參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108；

　　測試條件：

　　For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.

　　Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.

　　Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.

　　Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.

　　TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.

　　廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計(jì)量檢測機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、元器件篩選與失效分析檢測、車規(guī)元器件認(rèn)證測試、電磁兼容檢測等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)*水平。

　　GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測試能力及技術(shù)服務(wù)能力：

　　芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：

　　芯片級預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高溫存儲試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103；

　　溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；

　　溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL/HAST),JESD22-A110；

　　高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片靜電測試(ESD)：

　　人體放電模式測試(HBM),JS001；

　　元器件充放電模式測試(CDM),JS002；

　　閂鎖測試(LU),JESD78；

　　TLP；Surge/EOS/EFT；

　　芯片IC失效分析(FA)：

　　光學(xué)檢查(VI/OM)；

　　掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；Micro-probe;

　　聚焦離子束微觀分析(FIB)；

　　廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

　　GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力：

　　集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控

　　集成電路競品分析、工藝分析

　　芯片級失效分析方案turnkey

　　芯片級靜電防護(hù)測試方案制定與平臺實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

　　靜電防護(hù)失效整改技術(shù)建議

　　集成電路可靠性驗(yàn)證

　　材料分析技術(shù)支持與方案制定

　　半導(dǎo)體材料分析手法

　　芯片測試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室。

　　芯片高溫老化壽命試驗(yàn)：

　　GRGT張經(jīng)理186-2090+8348；

　　zhanghp grgtest.com