電子級正硅酸四乙酯/TEOS
名稱 | 正硅酸四乙酯(TEOS) |
化學(xué)式 | C8H20O4Si |
相對分子量 | 208.33 |
CAS號 | 78-10-4 |
理化性質(zhì) | 無色透明液體，熔點－77℃，沸點168.5℃，密度0.9346g/ml。在空氣中較穩(wěn)定；微溶于水，在純水中水解緩慢；在酸或堿的存在下能加速水解作用。 |
主要用于晶圓制造過程中的化學(xué)氣相沉積（CVD）制程，用于生成二氧化硅和氮化硅薄膜。是半導(dǎo)體、分立器件、微機電系統(tǒng)（MEMS）制造所需的電子化學(xué)品。
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /AtomicLayer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料
Dielectrics PMD/IMD | TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB |
Low K Dielectrics | 4MS ,OMCATS |
High K Dielectrics | TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) |
Metal Gate and Interconnect Metal | TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) |
Low-Temp Nitride/Oxide | HCDS |
Diffusion | POCl3 |
供應(yīng)半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積材料，專業(yè)研發(fā)及制造各種先進CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料，TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEBPrecursor，TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-KMaterial，TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。
