LDO，全稱為“Low Dropout Regulator”，是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器，LDO具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小的特點(diǎn)，需要的外接元件也很少，因此,LDO廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)壓輸出的場(chǎng)景。

LDO常用的電性能參數(shù)測(cè)試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測(cè)試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測(cè)試系統(tǒng)至少需要配置2臺(tái)SMU，并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。

普賽斯S系列高精度數(shù)字源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體。產(chǎn)品*輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流量程低至100pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應(yīng)用于LDO類芯片測(cè)試。詳詢一八一四零六六三四七六

S系列高精度數(shù)字源表特點(diǎn)

5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV

源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半

四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA

豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

技術(shù)參數(shù)

*輸出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：電壓源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

電流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

過(guò)量程： 105%量程，源和測(cè)量；

穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；

寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；

線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏移<80uV；

*采樣速率：1000 S/s；

觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置；

輸出接口：前后面板香蕉頭插座輸出，同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口；

通信口：RS-232、GPIB、以太網(wǎng)；

電源：AC 100~240V 50/60Hz；

工作環(huán)境：25±10℃；

尺寸：106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng)；

S系列高精度數(shù)字源表應(yīng)用

?分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

?能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等

?傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等

?有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等

?納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等  

選擇普賽斯儀表的理由：
1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
      技術(shù)雄厚，多項(xiàng)磚利，自主可控
2、可定制化方案
      聚焦鮮進(jìn)器件，提供成熟可落地定制化方案
3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
      國(guó)貨精品，品質(zhì)保障，對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品

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