聚酰亞胺(PI)擁有突出的力學,耐熱及耐化學品等性能,其在電子及微電子行業(yè)的應用前景十分廣闊.PI的本征介電常數(shù)(k)通常在3.1~3.6之間,為了降低超大規(guī)模集成電路在電介質夾層中功率損耗及信號延遲,要求其介電常數(shù)低于2.5.通過聚倍半硅氧烷上的氨基與聚酰胺酸(PAA)上的酸酐及羧基發(fā)生化學反應,制備聚倍半硅氧烷改性PI,不但可以較好地使聚酰亞胺優(yōu)異的性能得到保持,而且賦予其更佳的耐高低溫性能及力學強度,同時使PI的介電常數(shù)得到有效降低.冠醚通過氫鍵作用嵌套在聚酰亞胺分子主鏈上,與其形成穩(wěn)定的主客體包合物,可以使PI同時擁有高剛度和高韌性,并且使其介電常數(shù)得到進一步降低