產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
MA4AGSW1A,,,
MA4AGSW1A
AlGaAs 吸收劑
MACOM 的 MA4AGSW1A 是一種鋁-鎵-砷、單刀單擲 (SPST) 吸收性 PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽(yáng)極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng) GaAs 工藝制造的器件相比，AlGaAs 技術(shù)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗更少。在 50GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3dB 的插入損耗降低。該器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)。芯片內(nèi)的PIN二極管表現(xiàn)出低串聯(lián)電阻、低電容和快速開(kāi)關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過(guò)程中對(duì)二極管結(jié)以及陽(yáng)極空氣橋造成損壞。將需要片外偏置電路。
MACOM 的 MA4AGSW1A 是一款射頻開(kāi)關(guān)，頻率為 50 MHz 至 50 GHz，插入損耗 1.2 dB，隔離度 30 dB，功率 23 dBm，功率 0.2 W。標(biāo)簽：表面貼裝，固態(tài)。MA4AGSW1A 的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。
特征
超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz
50GHz 時(shí) 0.5dB 插入損耗
功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz
低電流消耗，-5V 用于低損耗狀態(tài)
50 GHz 時(shí) 46 dB 隔離
氮化硅鈍化
低電流消耗，+10mA 用于隔離狀態(tài)
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)*
聚合物劃痕保護(hù)
260°C 回流兼容
產(chǎn)品規(guī)格
一般參數(shù)
類型
固體狀態(tài)
配置
單刀單擲
終止
吸收性
應(yīng)用
ISM 樂(lè)隊(duì)
應(yīng)用行業(yè)
軍事、太空
頻率
50 MHz 至 50 GHz
插入損耗
1.2分貝
隔離
30分貝
產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
MA4AGSW1A,,,
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