免費(fèi)發(fā)布產(chǎn)品
首頁(yè)>

產(chǎn)品庫(kù)

>

電子元器件

>

其他

>

全碳化硅半橋MOSFET模塊

掃描我,即刻查看

全碳化硅半橋MOSFET模塊

  • 單價(jià):
    面議
  • 可售數(shù)量:
  • 品牌名稱(chēng):
    BASiC基本?
  • 所在地:
    廣東深圳
  • 產(chǎn)品規(guī)格:
  • 包裝說(shuō)明:
  • 商品名稱(chēng):全碳化硅半橋MOSFET模塊
  • 自定義分類(lèi):basic基本?mosfet
  • 上架時(shí)間:2023/12/18 19:22
如果您發(fā)現(xiàn)商品信息不準(zhǔn)確,歡迎糾錯(cuò)
產(chǎn)品關(guān)鍵詞: BASiC基本?碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本,

基本?PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級(jí)全碳化硅功率模塊-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)


PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)


適用于液冷充電樁電源的SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)


適用于三相三電平維也納PFC的SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)


碳化硅(SiC)功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)有許多應(yīng)用。這些模塊通常用于提高電能轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)的效率,同時(shí)在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)中的一些主要應(yīng)用:

電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制: 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提供高效率和高功率密度,降低能源損耗。

電源和逆變器: 在工業(yè)設(shè)備中,SiC功率模塊可用于設(shè)計(jì)高效率的電源和逆變器,適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)床和其他高功率應(yīng)用。

可再生能源系統(tǒng): 碳化硅功率模塊在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,提高了能源轉(zhuǎn)換效率。

焊接設(shè)備: 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應(yīng)和更高的效率。

電力傳輸與分配: SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng),提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。

電氣化交通: 在高速列車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)中,碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度,減輕設(shè)備重量,提高系統(tǒng)效率。

工業(yè)加熱系統(tǒng): 在高溫加熱系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。

這些應(yīng)用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案,有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。


BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:


1.出類(lèi)拔萃的可靠性:相對(duì)競(jìng)品較為充足的設(shè)計(jì)余量來(lái)確保大規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測(cè)在1700V左右,高于市面主流競(jìng)品,擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng),能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性,這是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì).


2.可圈可點(diǎn)的器件性能:同規(guī)格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競(jìng)品中是比較小的,帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競(jìng)品,特別適用于LLC應(yīng)用.


Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時(shí)間;Ciss越大,延遲時(shí)間越長(zhǎng)。BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競(jìng)品。

Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ?柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)切換時(shí)間起決定作用,高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。

Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)?柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。


基本?B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:

? 比導(dǎo)通電阻降低40%左右

? Qg降低了60%左右

? 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%

? 降低Coss參數(shù),更適合軟開(kāi)關(guān)

? 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

? *工作結(jié)溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過(guò)測(cè)試

? 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性

? 高可靠性鈍化工藝

? 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì),降低高溫漏電流

? AEC-Q101


基本?推出工業(yè)級(jí)全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore?2 E2B,BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺(tái)設(shè)計(jì),在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。


BMF240R12E2G3可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70,F(xiàn)F6MR12W2M1HP_B11,

FF6MR12W2M1H_B11,安森美NXH006P120MNF2,wolfspeed的CAB006A12GM3T,CAB006M12GM3T,CAB006M12GM3,CAB006A12GM3。



產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

- 更穩(wěn)定導(dǎo)通電阻

新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動(dòng)。

- 更優(yōu)異抗噪特性

寬柵-源電壓范圍(Vgss: -10V~+25V),及更高閾值電壓范圍(Vth: 3V~5V),便于柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

- 更高可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長(zhǎng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。


應(yīng)用領(lǐng)域:燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。


傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本?國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET,國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),機(jī)車(chē)輔助電源,儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器,高速電機(jī)變頻器等,光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module,儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本?SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展!


汽車(chē)級(jí)全碳化硅功率模塊是BASiC基本?為新能源汽車(chē)主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品,包括Pcore?6?汽車(chē)級(jí)HPD模塊、?Pcore?2?汽車(chē)級(jí)DCM模塊、?Pcore?1?汽車(chē)級(jí)TPAK模塊、Pcore?2?汽車(chē)級(jí)ED3模塊等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本?*的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝,綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,通過(guò)提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4


傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350,原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場(chǎng)景:

充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級(jí)LLC中的SIC MOSFET方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案


碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制,雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)(OBC)/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。


基本?第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本?還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。


基本?第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)

更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。


更低器件開(kāi)關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗*能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。


更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。


更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。


產(chǎn)品關(guān)鍵詞: BASiC基本?碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本,
全碳化硅半橋MOSFET模塊全碳化硅半橋MOSFET模塊全碳化硅半橋MOSFET模塊
溫馨提示: 以上是關(guān)于“全碳化硅半橋MOSFET模塊”的詳細(xì)介紹,產(chǎn)品由“深圳市傾佳電子有限公司”為您提供,如果您感興趣可以聯(lián)系供應(yīng)商或者讓供應(yīng)商主動(dòng)聯(lián)系您,您也可以查看更多與“其他”相關(guān)的產(chǎn)品!
*
*

聯(lián)系方式

楊子曦先生 (功率器件業(yè)務(wù)經(jīng)理)
手機(jī):13266663313
聯(lián)系我時(shí)務(wù)必告知是在“賽門(mén)國(guó)際商貿(mào)網(wǎng)”上看到的!

深圳市傾佳電子有限公司

企業(yè)旺鋪

  • 地址:廣東 深圳市深圳市福田區(qū)梅林奧士達(dá)大廈
  • 電話(huà):86-0132-66663313傳真:--
快速鏈接企業(yè)微店

掃一掃“二維碼”快速鏈接企業(yè)微店

推薦使用 微信UC 掃一掃 等掃碼工具

微店融入移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)更多的商業(yè)機(jī)會(huì)。

免責(zé)聲明: 本站信息由會(huì)員自行提供,內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。本站不提供任何保證,并不承擔(dān)任何法律責(zé)任。

企業(yè)產(chǎn)品分類(lèi)

企業(yè)相關(guān)產(chǎn)品

Url:/8515021 [用戶(hù)IP:23.19.74.84-代理IP:66.232.13.101], Time:2025/02/27 上 02:32:54