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碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片

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碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片

  • 單價:
    面議
  • 可售數(shù)量:
  • 品牌名稱:
    BASiC基本?
  • 所在地:
    廣東深圳
  • 產(chǎn)品規(guī)格:
  • 包裝說明:
  • 商品名稱:碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片
  • 自定義分類:basic基本?mosfet
  • 上架時間:2023/12/28 10:37
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞: 雙通道隔離驅(qū)動芯片,BTD25350,隔離驅(qū)動,

傾佳電子專業(yè)分銷BASiC基本?碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?單管IGBT,BASiC基本?IGBT模塊,BASiC基本?三電平IGBT模塊,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,BASiC基本?T型三電平IGBT模塊,BASiC基本?混合SiC-IGBT單管,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機(jī),儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機(jī)、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機(jī)驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動,AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,傾佳電子全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!


傾佳電子致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!


傾佳電子專業(yè)分銷基本?隔離驅(qū)動IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門極驅(qū)動芯片,輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A,絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝;抗*能力強(qiáng),高達(dá)100V/ns;低傳輸延時至45ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD21520M提供禁用管腳(DIS)和死區(qū)設(shè)置(DT),BTD21520S提供禁用管腳(DIS), BTD21520E 提供單一PWM輸入;副邊VDD欠壓保護(hù)點兩種可選:分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,?BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款單通道隔離門極驅(qū)動IC,輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW8封裝,3000Vrms@SOP8封裝;抗*能力強(qiáng),高達(dá)100V/ns;傳輸延時低至60ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD5350M 提供門極米勒鉗位功能,BTD5350S 提供獨立的開通和關(guān)斷輸出管腳,BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能;副邊VCC欠壓保護(hù)點兩種可選:分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR?,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款單通道智能隔離門極驅(qū)動芯片,采用磁隔離技術(shù);絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW16封裝;輸出峰值電流典型值15A;管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能,集成原副邊電源欠壓保護(hù);集成副邊電源穩(wěn)壓器功能,此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓,使驅(qū)動管腳自動分配正負(fù)壓,適用在給電壓等級1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動器,輸出側(cè)采用軌到軌方式;拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5A,上升和下降時間低至 7ns 與 6ns;芯片的兩個通道可并聯(lián)使用,以增強(qiáng)驅(qū)動電流能力;信號輸入腳*可抗-5V的持續(xù)負(fù)壓,支持4個標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項:BTL27523帶使能雙路反相,BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相,BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR


傾佳電子專業(yè)分銷基本?國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機(jī)車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機(jī)變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本?SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!


汽車級全碳化硅功率模塊是BASiC基本?為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品,包括Pcore?6?汽車級HPD模塊、?Pcore?2?汽車級DCM模塊、?Pcore?1?汽車級TPAK模塊、Pcore?2?汽車級ED3模塊等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本?*的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝,綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4


傾佳電子專業(yè)分銷BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,原方帶死區(qū)時間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場景:

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案


基本?再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。


傾佳電子專業(yè)分銷的BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:


1.出類拔萃的可靠性:相對競品較為充足的設(shè)計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設(shè)計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動,能夠確保大批量制造時的器件可靠性,這是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì).


2.可圈可點的器件性能:同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的,帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競品,特別適用于LLC應(yīng)用.



產(chǎn)品關(guān)鍵詞: 雙通道隔離驅(qū)動芯片,BTD25350,隔離驅(qū)動,
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