4寸碳化硅基HEMT射頻氮化鎵外延片廠家

作為氮化鎵外延片生產(chǎn)商廠家，恒邁瑞為國內(nèi)外客戶提供定制4英寸6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，采用產(chǎn)品P級半絕緣碳化硅襯底，可定制結(jié)構(gòu)參數(shù)及外延層厚度等，通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成高電子遷移率晶體管（HEMT）等氮化鎵射頻器件，歡迎客戶與我司聯(lián)系獲取詳細(xì)資料。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有遠(yuǎn)優(yōu)于*、二代半導(dǎo)體的禁帶寬度、導(dǎo)通電阻、熱導(dǎo)率。氮化鎵的禁帶寬度是硅的3倍、亦高于碳化硅；擊穿電場為硅的10倍、較硅可耐受更高電壓；因此，同樣額定電壓的氮化鎵開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻幾乎比硅器件低3個數(shù)量級，大大降低了開關(guān)的導(dǎo)通損耗；同時，氮化鎵是少見的同時具備高電子遷移率（1,250 cm2/Vs）和高飽和電子漂流率（2.2*2675px/s）的材料，意味著其所能承載的電流密度更高，因此能夠在同尺寸的晶體管中產(chǎn)生更高的射頻頻率；氮化鎵的熱導(dǎo)率為砷化鎵的4倍左右，且具備高熱穩(wěn)定性等優(yōu)勢。